电子行业标准 SJT 11705-2017 微电子器件封装的地和电源阻抗测试方法.pdfVIP

ICS 31.200 L55 备案号： SJ 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 SJ/TXXXXX—201X 微电子器件封装的地和电源阻抗测试方法 Groundandpower supplyimpedancetestmethod formicroelectronics device packages （报批稿） XXXX-XX-XX发布 XXXX-XX-XX实施 中华人民共和国工业和信息化部 发 布 SJ/TXXXXX—201X 前  言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会（SAC/TC78/SC2）归口。 本标准主要起草单位：中国电子技术标准化研究院、航天电子科技集团公司第七七二研究所、中国 电子科技集团公司第十三研究所、清华大学、中国电子科技集团公司第五十八研究所。 本标准主要起草人：安琪、林建京、张崤君、贾松良、丁荣峥。 本标准为首次发布。 I SJ/TXXXXX—201X 微电子器件封装的地和电源阻抗测试方法 1 范围 本标准规定了复杂、宽频带微电子器件用封装的地和电源引出端的串联阻抗测试方法。 本标准适用于评估和比较不同封装之间性能的差异，并可用于预测封装对电源噪声和地噪声引入程 度的影响。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GJB548 微电子器件试验方法和程序 3 术语和定义及符号 下列术语和定义及符号适用于本文件。 3.1 术语和定义 3.1.1 地串联阻抗 series ground impedance 固定频率下，半导体芯片界面和外部封装界面之间所有地线导体路径所呈现的感抗和电阻的串联组 合。 3.1.2 电源串联阻抗 series power supply impedance 固定频率下，半导体芯片界面和外部封装界面之间所有电源线导体路径所呈现的感抗和电阻的串联 组合。 3.2 符号 L ——封装中地线的串联电感，单位为亨利（H）。 G L ——封装中电源线的串联电感，单位为亨利（H）。 P X ——封装中地线的串联感抗，单位为欧姆（）。 G X ——封装中电源线的串联感抗，单位为欧姆（）。 P f——测试频率，单位为赫兹（Hz）。 f ——主要部件的数字脉冲转换频率，单位为赫兹（Hz）。 tr f ——规定的噪声脉冲宽度相关频率，单位为赫兹（Hz）。 tp R ——封装中地线的串联电阻，单位为欧姆（）。 G R ——封装中电源线的串联电阻，单位为欧姆（）。 P 1