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- 2020-05-25 发布于未知
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自举式 2ED020I12-F 芯片在 IGBT 驱动电路中的应用驱动/自举/2ED020I12-F/IGBT1 引 言power MOSFET IGBTEXB841TLP2502ED020I12-F2ED020I12-F2ED020I12-F2 2ED020I12-F 驱动芯片的内部结构和特点2ED020I12-F 1CLTVSH VSL13V~18V11V3.3V5V TTL/SDInHInLInHInLIGBTCLTCLTGNDHdVGNDH/dtdΦ/ dTEMIDelay1 2ED020I12-F23 2ED020I12-F 驱动芯片典型电路工作原理2ED020I12-F 60kHzMOSFET 2ED020I12-FIGBT3.1 自举电路的设计IN4148FR107IGBT11QG—IQ—IL—fs— VDD— VF—VCE—IGBT10GNDGNDL3.2 电流检测电路2ED020I12-FRsh(OP+)RCR3 C7VinVOP= 1+R6/R5 Vin210R6=10R5/SD/SD2ED020I12-F2ED020I12-F/SDIGBTOUTHOUTL3.3 负压电路IGBTIGBT2ED020I12-FIGBT-5V -8VIGBTIGBT25V18VR7C6C6+5VInLOUTL18VQ218V-5V=13VIGBTInLOUTL0V5VInHO
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