MOS场效应管电子教案.pptVIP

第三章 场效应管;;§3.1 金属-氧化物-半导体场效应管;2、MOS管的工作原理;P;UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。;P;P;B;3、增强型N沟道MOS管的特性曲线;0;4、关于输出特性曲线的进一步讨论;饱和区;截止区和亚阈区; 在集成电路中，许多MOS管都制作在同一衬底上，为了保证衬底与源、漏区之间的PN结反偏，衬底必须接在电路的最低电位上。;N 沟道耗尽型;P 沟道耗尽型;2、特性曲线：;输出特性曲线;三、小信号模型;场效应管举例：;场效应管举例：;一、结构;S源极;S源极;二、工作原理（以N沟道为例）;N;N;N;N;N;N;UGS;输出特性曲线;予夹断曲线;非饱和区：;饱和区：;P沟道结型场效应管的特性曲线;输出特性曲线;四、主要参数：; 结型场效应管的缺点：;三、各种FET的特性比较及使用注意事项：;一、放大电路： ;2、静态工作点的计算; 输入电阻Ri很大，近似为栅源间的电阻（1010Ω），输出电阻Ro≈RD 共源放大电路与共射电路形式相似，只是电路的输入电阻要比共射电路的大得多，故在高输入电阻得场合常用场效应管放大电路。;二、有源电阻;直流电阻： ;联立求解：;三、开关;互补的cmos开关;互补的cmos开关