《发光二极管》讲义教材.ppt

Lattice matching Carriers recombine non-radiatively at misfit dislocations. Density of misfit dislocation lines per unit length is proportional to lattice mismatch. Hence the efficiency of LED’s is expected to drop as the mismatch increases. 4、温度特性 温度上升，亮度下降；温度增加1度，发光效率减小1％，当LED消耗功率大，则结温上升，输出亮度下降，所以减小功耗，改良散热条件很重要。 Causes include non-radiative recombination via deep levels, surface recombination, and carrier loss over heterostucture barriers. 5、发射光谱 LED的发射光谱由半导体禁带宽度以及杂质浓度决定。描述光谱分布的两个主要参量是峰值波长λmax与半高宽Δλ 。 对GaAs1-xPx和Ga1-xAlxAs由于x不同， λmax＝620～680nm， Δλ ＝20～30nm； 对GaP（红）: λmax＝700nm，Δλ ＝10nm； 对GaP（绿）: λmax＝570nm，Δλ ＝25nm。 器件工作时的温度 会影响发射光谱，随着温度升高， Δλ 变大， λmax也会发生漂移0.3~o.4nm/度， Δλ 在光通信中是一个很重要的参量。 2、 B～V特性和B～I特性 LED的发光亮度B与电压V的关系，用下式表示： LED的B～I特性 用下式表达： 注意：发红光的GaP与上式不同，B呈现饱和。 材料中心通过Zn-O对进行的，当少数载流子密度达到一定的数值时会使发光中心饱和，而发绿光的GaP中辐射复合时通过浅施主能级进行，即使施主浓度很大也不会出现饱和 3、发光效率 内量子效率 外量子效率 由于材料的折射率高，发射和吸收的损失大，辐射复合产生的光子不会全部射出 设射出的光子数目NT，注入的电子空穴对G，则 显然，外量子效率小于内量子效率 一般，内量子效率可达50％；而外量子效率为0.1~12% 功率效率 对理想的p-n结LED,V外全部加在p-n结上.但在实际上,在电极和LED接触处,LED半导体层本身都有电阻,称为串联电阻Rs. 一般直接带隙Ⅲ -Ⅴ族化合物半导体LED中,Rs=1~3欧姆;间接带隙除Ⅲ -Ⅴ族化合物半导体LED,Rs=10欧姆.Rs上的压降不影响量子效率,但减小了功率效率. 功率效率的可以表示为: 提高功率效率,则Rs下降,掺杂浓度升高.单不能太高(因为要影响LED的结晶完整性),一般取1018cm-3为宜. 提高LED效率的途径 a.选择适当的掺杂浓度 在p-n结加上正向偏压以后，注入结区的载流子有一部分被晶格缺陷和有害杂质俘获，形成空间非辐射复合。这种复合尽量避免，因俘获中心有限，可加大注入电流使其饱和，扩散电流jd开始起主要作用 在LED中，只有一种扩散电流对发光贡献大。 在红光GaP中，主要是jdn在p区的复合，要增加注入效率，就要提高jdn在全部扩散电流中的比例，因为施主杂质浓度（ND）大于受主杂质浓度（NA），要适当提高NA。 但是NA和 ND不能太高，否则因缺陷过多造成过多的光子吸收，减少电子迁移率和增加空穴向N区注入，这些都会降低注入效率，所以NA， ND 都有一个最佳值，一般都在1018cm-3这个数量级上。 b.选择适当的结深 辐射复合发出的光从p-n结到达晶体表面之前会受到较大的吸收，为了减小吸收，把结做得薄一些，但是太浅了又会使注入的载流子在体内来不及充分复合就到达电极流走了。因此结深也有一个最佳值，其计算公式： c.改进LED的结构 由于Ⅲ -Ⅴ族材料的折射率大（n＝3～4），即使垂直入射到空气界面的光也有50％的发射，与界面的法线大于16度（全反射临界角）的光完全发射回器件内部。 只有θ θc立体角内的光才能出射出器件之外，将θc＝16.2度代入，得外量子效率约0.03,即到达表面的光只有3%左右可以出射出来。但是由于晶体本身在光的传输过程中还有很强的吸收作用，因而实际的外量子效率比计算值低。 用球面发射表面结构 这种结构减小了界面发射，但使材料内部光程增大，在增加了吸收 为了提高外量子效率，可采取下列措施： 用折射率较大的介质做成圆顶光窗，以增大半导体内的全发射临界角。 LED-Optical Properties-Light Escape Cone Total internal reflection at the semi