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专题训练物质结构与性质(选修)
(2014 ?四川理综化学卷,T8) (13分)X、Y、Z、R为前四周期元素,且 原子序数依次增大。XY2是红棕色气体;X与氢元素可形成XH; Z基态原子的M 层与K层电子数相等;£离子的3d轨道中有9个电子。请回答下列问题:
(1) 丫基态原子的电子排布式是」;Z所在周期中第一电离能最大的元素是
② 。
(2) XW离子的立体构型是 ① ;氏+的水合离子中,提供孤电子对的原子是
② 。
(3) 将R单质的粉末加入XH的浓溶液中,通入Y2,充分反应后溶液呈深蓝色,
TOC \o 1-5 \h \z 该反应的离子方程式是 。
【答案】
2 2 4
(1) ① 1s2s2p ② Cl
(2) ①V形 ②0
(3) 2: 1
2+ —
(4) 2Cu+8NH? HbO+O—2[Cu(Nf)4] +4OH+6HO
【解析】(1)经分析可知,X为N, 丫为O,Z为Mg R为Cu; O基态原子的 电子排布式是1s22s22p4,第三周期中第一电离能最大的元素是 Cl ;
(2) NO离子的立体构型是V形,Cu2+的水合离子中提供孤电子对的原子是 O;
(3) 反应的离子方程式为 2Cu+8NH? HO+(^2[Cu(Nf)4]2++4OH+6HQ
(2013 ?新课标全国卷I )硅是重要的半导体材料,构成了现代电子工业 的基础。回答下列冋题:
(1) 基态Si原子中,电子占据的最高能层符号为 ,该能层具有的原子
轨道数为 ,电子数为 。
(2) 硅主要以硅酸盐、 等化合物的形式存在于地壳中。
(3)单质硅存在与金刚石结构类似的晶体,其中原子与原子之间以
相结合,其晶胞中共有8个原子,其中在面心位置贡献 原子。
(4)单质硅可通过甲硅烷(SiHJ分解反应来制备。工业上采用 MgSi和NHCI
在液氨介质中反应制得SiH4,该反应的化学方程式为 。
(5)碳和硅的有关化学键键能如下所示,简要分析和解释下列有关事实:
化学键
C- C
C- H
C- O
Si — Si
Si — H
Si — O
键能 /(kJ ? mo「)
356
413
336
226
318
452
①硅与碳同族,也有系列氢化物,但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多,
原因是 。
②SiH4的稳定性小于CH,更易生成氧化物,原因是
(6)在硅酸盐中,SiO4-四面体(如图a)通过共用顶角氧离子可形成岛状、链 状、层状、骨架网状四大类结构型式。图 b为一种无限长单链结构的多硅酸根,
其中Si原子的杂化形式为 ,Si与O的原子数之比为 ,化学式
为 。
解析(1)硅的基态原子中,能量最咼的能层是第二电子层,符号为 M该 能层有9个原子轨道,电子数为4。(2)硅还以SiO2形式存于在地壳中。(3)硅晶 体中,硅原子间以共价键结合在一起,其晶胞6个面上各有一个硅原子,依据均 摊原则,面心位置贡献3个原子。⑷可先写出:MgSi + NHCI —SiH4,由原子 守恒知还应该有 MgC2生成,配平镁、氯、硅元素后得 MgSi + 4NHCI —SiH4+ 2MgC2,再进一步分析知还应该有 NH生成,最终结果为 MgSi + 4NHCl===SiH4 + 2MgC2+ 4NH。(5)某类物质数量的多少与物质内化学键的稳定性强弱有关, 由
表中数据知C-C键、C-H键分别比Si — Si键、Si — H键稳定,故烷烃数量较多。 同理因键能C-HC-O Si — OS— H,故SiH4的稳定性小于 CH,更易生成氧化 物。⑹ 因硅与四个氧原子形成四个 c键,故硅原子为sp3杂化。在图a中,硅、 氧原子数目比为1:4,但图b中每个硅氧四面体中有两个氧原子是与其他四面体
共用的,故依据均摊原则可确疋图 b中硅、氧原子数目比为 1:3,化学式为
(SiO3)J
答案 (1)M 9 4
二氧化硅
共价键 3
Mg2Si + 4NHCI===SiH4 + 4NH+ 2MgC2
①C-C键和C-H键较强,所形成的烷烃稳定。而硅烷中Si — Si键和Si —H键的键能较低,易断裂,导致长链硅烷难以生成
②C-H键的键能大于C-O键,C-H键比C-O键稳定。而Si — H键的键能 却远小于Si — O键,所以Si — H键不稳定而倾向于形成稳定性更强的 Si — O键
sp3 1:3 [Sd]』-(或 SiO3一)
(2013 ?山东卷)卤族元素包括F、Cl、Br等。
下列曲线表示卤族元素某种性质随核电荷数的变化趋势,正确的是
HBr
2
Br_
F
nl 沸点
He
Bt
cl二
L Ft
#咼正价
Br
核电荷数
核电荷数 b
核电荷数
c
核电荷数d
⑵ 利用“卤化硼法”可合成含 B和N两种元素的功能陶瓷,右图为其晶胞 结构示意图,则每个晶胞中含有
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