模拟电路3讲解.pptVIP

? 饱和区（放大区）外加电压极性及数学模型 ? V DS 极性取决于沟道类型 N 沟道： V DS 0 ， P 沟道 ： V DS 0 ? V GS 极性取决于工作方式及沟道类型 增强型 MOS 管： V GS 与 V DS 极性相同。 耗尽型 MOS 管： V GS 取值任意。 ? 饱和区数学模型与管子类型无关 2 GS(th) GS OX D ) ( 2 V V l W C I ? ? ? ? 临界饱和工作条件 ? 非饱和区（可变电阻区）工作条件 |V DS | = | V GS – V GS(th) | |V GS | |V GS(th) | ， |V DS | | V GS – V GS(th) | |V GS | |V GS(th) | ， ? 饱和区（放大区）工作条件 |V DS | | V GS – V GS(th) | |V GS | |V GS(th) | ， ? 非饱和区（可变电阻区）数学模型 DS GS(th) GS OX n D ) ( V V V l W C I ? ? ? ? FET 直流简化电路模型 ( 与三极管相对照 ) ? 场效应管 G 、 S 之间开