11 第十一讲 薄膜材料物理 第四章薄膜的表面和界面 文档.ppt

第 11 讲 第 4 章 金属薄膜的导电 第四章 薄膜的表面和界面 ( 续 ) 第 11 讲 在研究薄膜中，表面：固体和气体或真空的分界面 界面 : 固体和固体的分界面 几何表面：表面的几何分界面。 物理表面：一个电子结构不同于内部的表面区域 由于具体的材料不同，表面区的厚度有很大的差异 薄膜的常用厚度为几十到几百 nm. 金属的表面区只有一 . 二个原子层； 半导体的表面区，却有几个，甚至几千个原子层； 电介质的表面区更厚。 第 11 讲 第 4 章 金属薄膜的导电 ? 金属表面带正电，半导体的界面层中带负电， 由电子增多，所以半导体界面层的费米能解的 价带顶的距离增大，价带向下弯曲 ? 正电荷面 金属一侧 ? 半导体一侧 负电荷层（空间电荷层）， 由电离的受主构成 当 Φ m Φ s 时，金属与 p 型半导体接触后，电子 从逸出功小的材料移向逸出功大的材料，即从 金属移向半导体， E gm =E gs =E F 形成双电层。 ? ? 对电子形成能谷，对空穴则成为位垒。 (2) 金属与 p 型半导体接触 第 11 讲 第 4 章 金属薄膜的导电 C E S ? (a) 接触前 F E C E 金属 m ? F E V E p 型 S ? a E 杂质能级 S E S m ? ? ? S S E ? ? F E p 型 金属 S m E ? ? ( ) ( ) S m S S ? ? ? ? ? ? ? (b) 接触后 第 11 讲 第 4 章 金属薄膜的导电 ? m p ? p p 0 m V ? 0 S V ? m p p p ? (c) p 型 金属 ? m p ? p p ? 0 m V ? S V V ? ? m p p p ? ? sm J ? 通向 (d) p 型 金属 sm J ? 阻向 ? m p 0 m V ? S V V ? ? m p p p ?? ? ? p p ?? (e) p 型 金属 第 11 讲 第 4 章 金属薄膜的导电 图（ c ）： ρ m = ρ p ∴ 静电流为零 （ V m =0,V s =0 ） 图（ d ）： V m =0 ， V s =+V ，即半导体一侧接正 ? 半导体中的电子的能位下降， s s m V J ? ? ? ? ? ? 通向，正向 或半导体中的空穴的能位上升 ? ? s m s m J k ? ? ? ? ∵ ρ s ρ m 电流为 ? 导致有较多的空穴从半导体流向金属： 第 11 讲 第 4 章 金属薄膜的导电 ? ? ? s m m s J k ? ? ? ? s s m V J ? ? ? ? ? ? 图（ e ）： V m =0 ， V s =-V ，即半导体一侧接负 半导体中的电子能为上升，或半导体中的空穴能 位下降 0, s ? ? m a x m s m J k ? ? 但： 对金属来说 ρ m 很小 . ∴ 阻向，反向 导致有空穴从金属流向半导体形成电流： ρ m ρ s 第 11 讲 第 4 章 金属薄膜的导电 当 Φ m Φ s 时，金属与 p 型半导体接触如图： (a) 接触前 p 型 F E C E 金属 m ? 杂质能级 s s E ? ? C E S ? F E V E a E S E S ? Φ m Φ s Φ m Φ s F E C E V E m s ? ? ? m s E ? ? p 型 金属 (b) 接触后 第 11 讲 第 4 章 金属薄膜的导电 接触后，电子从半导体流向金属，在半导体表面 形成空穴，在金属表面积积累电子，从而形成双电层。 对电子来说，界面处有相当大的位垒，但是对于空穴 来说，情况正好相反。因而空穴很易从空穴从半导体 流向金属，并瞬时得到中和。因为热激发，在金属导 带中形成的空穴也很易流入半导体，所以这种接触没 有整流效应，是欧姆接触 ∵ 有表面态的影响 第 11 讲 第 4 章 金属薄膜的导电 对于金属与半导体薄膜的接触： ? 须进行研究 ? n 型半