第6章半导体二极管和三极管13443复习课程.pptVIP

电工电子技术基础;目 录;;2.本征半导体晶体结构中的共价健结构;3.本征半导体晶体结构中的电子和空穴;4.本征半导体中的激发与复合现象;5. 半导体的导电形式;6.1.2 N型半导体和P型半导体（杂质半导体）;6.1.2 N型半导体和P型半导体（杂质半导体）;3.杂质半导体的特性;;（1）P区、N区间的扩散运动;（2）P区、N区间的漂移运动;2. PN结的单向导电性;2. PN结的单向导电性;3.PN结导电单向性的结论;6.2 半导体二极管;6.2.2 二极管的伏安特性;（3）二极管的特性 ;（1）反向电流：很小 （2）反向饱和电流： 几乎不随电压而变化 （3）反向击穿电压：UBR 当反向电压达到击穿电压时二极管就相当于短路了，二极管就损坏了。;6.2.3 主要参数;例6.1 在图所示电路中，二极管是导通还是截止？试求UAO。;例6.2 如图6.11(a)所示电路中，已知E=5V，输入电压ui=10sinωt，试画出输出电压uo的波形图。;;6.3 稳压管;6.3.1 稳压管的伏安特性：;;6、动态电阻;;例6.3 有两个稳压管DZ1和DZ2，其稳定电压分别为5.5V和8.5V，正向压降均为0.5V，现分别要得到3V、6V、14V几种稳压值，试画出其电路图。 解 ： 利用稳压管反向导通时两端电压等于它的稳定电压，正向导通时两端电压等于它的正向压降，按图6.13(a)、（b）、（c）连接，可分别得到3V、6V、14V几种稳定电压值。图中R是限流电阻，不能缺少。假设E大于14V。;6.4 发光二极管 ?发光二极管（Light Emiting Diode），简称LED，是一种将直接把电能转换成光能的器件，没有热交换过程。它在正向导通时会发光，导通电流增大时，发光亮度增强。其外形和电路符号分别如图6.14(a)、（b）所示。 ;6.5.1 基本结构;;;;;; 2、电流的形成;（2） 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流IB;3 集电极收集电子，形成集电极电流IC;;;1、输入特性曲线;1、输出特性曲线;;（1）工作条件;（1）工作条件;（1）工作条件;6.5.4 三极管的主要参数;2、极间反向电流 （1）集电极-基极间的反向电流ICBO ICBO是指发射极开路时，集电极-基极之间的电流，亦称集电结反向饱和电流。（少数载流子电流）。受温度的影响极大。此参数越小越好。;（2）集电极-发射极间的反向电流ICEO ICEO是指基???开路时，集电极-发 射极间的反向电流，亦称集电结穿 透电流。 ①穿透电流ICEO与反向饱和电流ICBO 的关系： ②在共发射极电路中，当有IB存在 又考虑穿透电流ICEO时，可以得到 IC的关系式：;3、极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM 集电极的电流超过一定值后，电流放大系数β就会下降。ICM就是β下降到正常值的三分之二时的值。当IC＞ICM时，管子不一定会损坏，但是β值要显著下降。 (2)集-射极反向击穿电压U(BR)CEO U(BR)CEO是在基极开路时，加在集 射极间的最大允许电压。当三极管 的集-射极电压UCE＞ U(BR)CEO时， ICEO会突然增加，说明三极管击穿 了。 (3)集电极最大允许耗散功率PCM ;;;;;;;;;;;;;;;;