第6章 半导体存储器资料讲解.pptVIP

第六章 半导体存储器;6.1 存储器概述;半导体存储器分类：;6.2 只读存储器（ROM）;2.ROM的分类;6.2.2掩膜ROM(固化ROM);①地址译码器的作用将输入的地址代码译成相应的控制信号， 利用这个控制信号从存储矩阵中把指定的单元选出，并把 其中的数据送到输出缓冲器。;2.举例4×4存储器;2.举例4×4存储器（续）;2.举例4×4存储器（续）;＝m1＋m3;3. 基本应用;②位应用——实现组合函数;6.2.3 PROM(可编程ROM);;6.2.4 EPROM、E2PROM、FLASH ROM;1、UVEPROM(紫外光可擦除可编程ROM）;; 写入：在漏源极间加上高电压(+20V~+25V);2、E2PROM;读出、写入、擦除方法见有关资料;;3、快闪存储器 快闪存储器既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，又保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性，而且集成度可以做得很高。;快闪存储器MOS管的结构－ FLASH ROM存储单元;6.2.5 EPROM集成芯片及应用举例;工作方式;EEPROM2864;（1） 用于存储固定的专用程序或数据;查表功能 －构造自变量与应变量的函数表 ;A1;A1;例 利用ROM实现的十进制数码显示（七段译码）;思考：若填入的数值分别是7F、0D、B7、9F、CD、DB、FB、0F、FF、CF，译码显示如何？;6.3 随机存储器RAM;RAM的结构框图;A0;存储单元数量多，将存储单元排列成矩阵形式（存储器阵列） 阵列中各单元的选择称地址译码;;1024×4 RAM;;RAM操作时序; 静态双极RAM; 静态MOS RAM（SRAM）;2. RAM存储单元; 动态MOS RAM（DRAM）; 写入数据; 读位线信号分两路，一路经T5 由DO 输出 ；;若读位线为低电平，经过G3反相后为高电平，对电容C充电；;利用触发器保存数据 写入时在D和/D上加上反相信号，引起触发器的翻转即可 数据读出非破坏性，一次写入，可以反复读出 存储单元占用管元多，每比特面积大、功耗高;(1) SRAM芯片M6264：;M6264内部结构和外引脚;1;存储器件操作时序;(3) SRAM6116（P214）;6.4 存储器容量的扩展;字数的扩展（地址的扩展）;;字数、位数同时扩展;6.5 存储器的应用;二、推论 n位输入地址、m位数据输出的存储器可以设计一组(最多为m个)任何形式的n输入逻辑变量组合逻辑函数。;四、步骤： 1、根据输入变量数和输出端个数确定存储器的类型； 2、将函数化为最小项之和的形式（列出??数的真值表）； 3、列出函数的数据表； 4、画出相应的电路的结点图（编程写入数据）。 ;1、作函数运算表电路（Y=X2） 2、实现组合逻辑函数 3、用ROM设计一个8段字符显示的译码器 4、数字波形发生数据存储器