3 电力电子器件教学材料.ppt

大家好！;电力电子技术;■电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动 电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。;主电路 —— 电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 电力电子器件 —— 可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。; 同处理信息的电子器件相比，电力电子器件的一般特征：;(3) 实用中，电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。;电力电子器件; (2)半控型器件——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断 晶闸管及其大部分派生器件; 半控型器件——晶闸管; 半控器件—晶闸管 ; 1. 晶闸管的结构与工作原理;晶闸管的可控性;2、晶闸管承受正向阳极电压;3、晶闸管导通后;4、晶闸管导通后;● 晶闸管承受正向阳极电压时，当门极承受正向电压　 时，晶闸管才能由截止变为导通 ● 晶闸管导通后门极失去控制作用 ● 晶闸管导通后，当阳极电压为０或使阳极电压反向　 后，晶闸管关断;晶闸管通断规律：;其他几种可能导通的情况： 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 以上三种情况，因不易控制，难以应用于实践。 光直接照射硅片，即光触发 光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管。;u2;晶闸管工作原理 将晶闸管等效为一个NPN型和PNP型管; 1. 晶闸管的结构与工作原理; 1. 晶闸管的结构与工作原理; 1. 晶闸管的结构与工作原理; 2. 晶闸管的基本特性; 2. 晶闸管的基本特性;随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低; 2. 晶闸管的基本特性;晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性; 2. 晶闸管的基本特性; 2. 晶闸管的基本特性;◆电压定额： 1)?断态重复峰值电压UDRM——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的 正向峰值电压。;3)?通态（峰值）电压UTM——晶闸管通以某一规定倍 数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。; 3. 晶闸管的主要参数; 3. 晶闸管的主要参数;◆晶闸管的门极定额; 4. 晶闸管的派生器件; 4. 晶闸管的派??器件; 4. 晶闸管的派生器件; 4. 晶闸管的派生器件; 5 典型全控型器件; 5 典型全控型器件 ; 1. 门极可关断晶闸管;1.门极可关断晶闸管;与晶闸管的相同点;GTO导通过程与普通晶 闸管相同，如何？只是 导通时饱和程度较浅、 临界饱和状态。;GTO关断过程：强烈正 反馈——门极加负脉冲 即从门极抽出电流，则 IB2减小，使IK和IC2减小， IC2的减小又使 IA和IC1减小，又进一步减小V2的 基极电流。当IA和IK的减 小使?1+?2<1时，退出饱 和而关断。; 1. 门极可关断晶闸管; 2. 电力晶体管;◆ GTR的结构 ?采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构，并采用集 成电路工艺将许多这种单元并联而成。 ? GTR是由三层半导体（分别引出集电极、基极和发射极）形成 的两个PN结（集电结和发射结）构成，多采用NPN结构。 ;; 2. 电力晶体管; 2. 电力晶体管; 2. 电力晶体管; 3. 电力场效应晶体管; 3. 电力场效应晶体管;功率场效应晶体管，是一种单极型电压控制器件，通过栅极电压来控制漏极电流。;功率场效应晶体管;D;D;绝缘栅双极晶体管，是一种复合型电压控制器件。;1 结构和工作原理;IGBT的开通与关断由栅极电压控制。以N沟道IGBT为例，栅极施以正电压时，MOSFET内形成导电沟道，为PNP晶体管提供基极电流，IGBT导通。在栅极施以负压时，MOSFET内导电沟道消失，PNP晶体管无基极电流，IGBT关断。 ;2 特性;当UGE<UT时，IGBT处于截止状态，微弱漏电流。 ;当UGE>UT时，IGBT处于放大区。集电极电流IC大小几乎不随uCE而变化，其大小取决于uGE，正常情况下不会进入击穿区。 ;当UGE>UT，集电极电流IC与uCE成线性关系，不随uGE而变化， IGBT处于饱和区，导通压降较小。 UT=2~6V，UGE=15V;器件; 6 其他新型电力电子器件; 6.1. MOS控制晶闸管MCT; 6.2. 静电感应晶体管SIT; 6.3. 静电感应晶闸管SITH; 6.4. 集成门极换流晶闸管IGCT; 6.5. 基于宽禁带半导体材料的电力电子器件; 6.6 功率集成电路与集成电力电子模块;6.6 功率集成电路与集成电力电子模块;6.6 功率集成电路与集成电力电子模块;本章小结;本章小结;本章小结