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2012总复习 模拟电路 一、半导体二极管及其基本应用电路 1. PN结特性、导通和截止工作机理。 2. 各种二极管正常工作条件。 3. 稳压二极管电路计算。 1.理想二极管构成的电路如题2图所示，其输出电 压u0为（ ） A.-15V B.-9V C.-6V D.+9V 3、判断图所示电路中各二极管是否导通,并求A,B 两端的电压值。设二极管正向压降为0.7V。 二、三极管及其基本放大电路 1. 特性，放大所需外部条件； 2. 工作区及放大区判断方法； 3. 三种基本组态（共射、共基、共集）特点。 （1）静态工作点的计算 4.计算 （2）画微变等效电路 （3）动态参数 Au,Ri,Ro等 重点：共射放大电路 （一）、特性 双极型半导体三极管（晶体三极管 BJT） 两种载流子导电 晶体三极管 1. 形式与结构 NPN PNP 三区三极两结 2. 特点 基极电流控制集电极电流并实现放大 放大条件 发射结正偏、集电结反偏 3. 电流关系 I E = IC + IB E = IC + IB IC =β IB+ ICEO IE =(1+β) IB + ICEO IE = IC + IB IC =β IB IE = (1+β ) IB （二）、放大区判断方法 判断是否放大： 1. 电位判别法 NPN管 U C UB UE PNP管 U C UB UE 2. 电流 I C = β IB 发射结正偏，集电结反偏 （三）、 三种基本组态（共射、共基、共集）特点。 判定： 交流输入和输出的公共极, 为共××极电路 共射电路：基极输入 , 集电极输出; 电压、电流都放大 共集电路：基极输入, 发射极输出; 电流放大, 电压不放大 共基电路：发射极输入 ,集电极输出 ; 电压放大,流不放大 共集电路： Au ≤ 1， R i 高， Ro低； 输入、输出级 、隔离级 （四）、计算 1.分压偏置共射放大电路 I U U ? BQ BEQ = EQ R E Rb1 30k Rc 3.3K C2 +12V … A u = ?β u = ?β R L r be Rs 1k Us + Ui _ C1 Rb2 15k T Re 2K + C3 RL 3.3K + U0 R = i R // r B be _ R = o R C 2.（15分）某单管放大电路如图所示，所有电容对 交流呈短路，已知三极管β=50,rbb′=200Ω， VBE=0.7V，当RW的滑动端置于中点时，试计算： （1）静态时ICQ、VCEQ； （2）输入电阻Ri，Ro； （3）源电压增益Av，Avs 3.固定偏流电路如图所示。已知：VCC = 12V，Rb = 280kΩ, Rc = 3kΩ,RL = 3 kΩ,三极管β= 50,取 rbb’= 200Ω， UBEQ = 0.7V. 求: （1） 静态工作点Q； （2）求电压增益 Au、R i、Ro ； 4．放大电路如图所示，已知UCC=15V， RB=300kΩ,RC=4kΩ，RL=12kΩ,RE=1kΩ, β=50，UBEQ=0.7V，rbe=0.95kΩ （1）计算IBQ、UCEQ； （2）画出微变等效电路； A （3）计算电压放大倍数 和输入电阻ri。 u 三、场效应管及其基本放大电路 1. 场效应管特点和分类； 2. 基本共源放大电路分析（结型）。 1. 特点 栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流 输入电阻高，工艺简单，易集成 2. 特性 由于FET无栅极电流，故采用转移特性和输出特性描述 iD /mA MOS管 N沟道 结型 耗尽型 增强型 （耗尽型） IDSS 开启电压 夹断电压 UGS（th） UGS uGS /V （off） O u i = ? I 2 D (1 ) DSS GS U GS(off) u i I D = ( ?1)2 D = ( ?1)2 GS DO U GS(th) IDO是uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 2. 基本共源放大电路分析（结型） 例1．分析共源放大电路 四、集成运算放大电路 1. 多级放大电路的耦合方式。 2. 差模信号、共模信号概念及计算； 3. 共模抑制比； 4. 差动放大电路（双入单出） 5. OCL电路计算； 1. 多级放大电路的耦合方式及特点。 极间耦合形式： 直接 耦合 A 1 A2 能够放大变化缓慢的信号，便于集成化， Q点相互 影响，存在零点漂移现象。 阻容 耦合 A1 A2 Q点相互独立。不能放大变化缓慢的信号，低频特性 差，不能集成化。 变压 器 耦合 A1 A2 Q点相互独立，能够实现阻抗变换。不能放大变化缓慢的 信号，低频特性差，不能集成化。 2. 差模信号、共模信号概念及计算； 差模信号vid是指在两个输入端加上幅度相等，