《太阳能电池基础与应用》太阳能电池第二章3.docxVIP

第二章 半导体基础 2.1 半导体中电子态和能带 2.2 半导体中的杂质与缺陷 2.3 平衡状态载流子分布 非平衡载流子的产生与复合 2.4 漂移电流与扩散电流 2.5 2.6 载流子输运方程 2.5 漂移电流与扩散电流 平衡状态 没有外界影响(如电压、电场、磁场或温度梯度)作用在半导体上的 状态，称为平衡状态。 平衡态半导体的标志就是具有统一的费米能级EF，此时的平衡载流 子浓度n0和p0唯一由EF决定。平衡态非简并半导体的n0和p0乘积为 ： E n ? ? ? p NC N n g 2 0 exp( ) i 0 V kT 称n0p0=ni2为非简并半导体平衡态判据式。 2.5 漂移电流与扩散电流 非平衡状态 处于准平衡状态的半导体，其载流子浓度将不再是n0和p0，可以比它们多出 一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子，有时也称过 剩载流子，用 ?n 和 ?p 分别表示过剩电子和过剩空穴浓度。 一般情况下，注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多子浓度小得多。对于N 型半导体，?n远小于n0，?p远小于n0，满足这个条件的注入称为小注入。 n ? n n e ? E )/ (E k T F i B i p ? (E n e i i p ? E F )/ k T B np ? 2 Δ / n e μ k T B i ?? ? En ? p F E F 表征了材料偏离平衡态的程度 修正的载流子分布 2.5 漂移电流与扩散电流 光注入必然导致半导体电导率增大，即引起附加电导率 2.5 漂移电流与扩散电流 在准热平衡状态，半导体材料中的电子和空穴的电流 ? J（r）? n ? J（r）? p μnn μ p p 如何求？？？ n 由E ? E F 得 E ? p F ? n F ? N E k T ln( C )和E E ? p ? C B F v n k T ? ? ? ? ? E ＋ n k T ln N B C B n k T ? ? ? ? ? E p k T ln N B V B V p ? C k T B N ln( V p ) E ? ? ? ? E vac ? ? C E E vac V ? ? ????? χ χ ? E g ? ? ?? ?? 2.5 漂移电流与扩散电流 J (r) ? n qD n ? n ? μ n n(qF ? ? ? χ k T ln N ? B C ) J (r) ? p ? qD ? ? p μ p(qF p p ? ? ? χ ? ? E g k T ? B ln N V ) 电子亲和势、带隙和有效状态密度的梯度，产生了除外电场强度以 外的有效电场，但在成分均匀的半导体材料中，有效电场可以忽略， 所以漂移、扩散电流： J J n p ? (r ) ? (r ) ? ? qD ? n p ? qD n ? ? p qμ Fn Fp p n ? qμ 电子电流和空穴电流都具有2项： 电场强度引起的漂移电流和载 Dn和Dp分别为电子 和空穴的扩散系数 流子浓度梯度引起的扩散电流 2.5 漂移电流与扩散电流 ? drift ( ) ? (μ ? μ ) 漂移电流 J r q n p F n p ? diff ? ? ? ? n P 扩散电流 J (r) q(D n D p) 漂移电流使半导体实现更小 的电势，扩散电流使半导体 实现更小的统计分布势能。 2.5 漂移电流与扩散电流 ? drift ( ) ? (μ ? μ ) 漂移电流 J r q n p F n p p-型 n-型 光子能量大于禁带 宽度时，即hν≥Eg 费米能级 hν 导带电子和价带空穴电荷相反， 由于相反典型，两种漂移载流子 产生的漂移电流Jdrift方向相同， 相互增强。 2.5 漂移电流与扩散电流 ? diff ? ? ? ? n P 扩散电流 J (r ) q(D n D p) 各向同性均匀掺杂的半导体，扩散电流由载流子的浓度梯度引起， 但是扩散的导带电子和价带空穴运动方向相同，由于具有相反电 性，两种扩散载流子产生的扩散电流Jdrift方向相反，相互抵消。 如果要产生较大的扩散电流，要求导带电子浓度的梯度和空穴浓 度的梯度相差较大，此时可以通过不同掺杂半导体的组合来实现。 2.5 漂移电流与扩散电流 在准热平衡状态，半导体材料中的电子和空穴，在外场作用下会产生 输运现象。在电场作用下，自由空穴沿电场方向的漂移，或电子逆电 场方向的漂移，均将形成电流。输运过程遵从玻尔兹曼方程和驰豫时 间近似理论。 ? 外载流子两种输运机制： 漂移运动：由电场引起的载流子运动。 扩散运动：由浓度梯度引起的载流子流动。 ? 温度梯度也能引起载流子运动，但较小，可忽略。 2.5 漂移电流与扩散电流 爱因斯坦关系式