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概述
该产品为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案。电路内部集成了采用 N 沟和 P 沟
功率 MOSFET 设计的 H 桥驱动电路,适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进马达的一个绕组。该电路具备较宽的工作电压范围(从 2V 到 9.6V),
最大持续输出电流达到 2A,最大峰值输出电流达到 3.5A。
该驱动电路内置过热保护电路。通过驱动电路的负载电流远大于电路的最大持续电流时,受封装散热能力限制,电路内部芯片的结温将会迅速升
高,一旦超过设定值 (典型值 150℃),内部电路将立即关断输出功率管,切断负载电流,避免温度持续升高造成塑料封装冒烟、起火等安全隐患。内置
的温度迟滞电路,确保电路恢复到安全温度后,才允许重新对电路进行控制。
该驱动电路内置限流保护电路。当流过功率管的电流超过设定值时,内部电路限流保护电路启动,功率管最大输出电流将被限制在设定值。该功
能可确保电路输出端口与地短路、输出端口之间短路时,电路不烧毁。
特性
● 低待机电流 (小于 0.1uA);
● 低静态工作电流;
● 集成的 H 桥驱动电路;
● 内置防共态导通电路;
● 低导通内阻的功率 MOSFET 管;
● 内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD);
● 内置限流保护电路,输出对地短路,输出与输出短路,不烧电路;
● 抗静电等级:3KV (HBM)。
典型应用
● 2-6 节 AA/AAA 干电池供电的玩具马达驱动;
● 2-6 节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱动;
● 1-2 节锂电池供电的马达驱动
订购信息
应用说明
1 、 基本 工作模式
a) 待机模式
在待机模式下,INA=INB=L。包括驱动功率管在内的所有内部电路都处于关断状态。电路消耗极低极低的电流。此时马达输出端 OUTA 和 OUTB
都为高阻状态。
b) 正转模式
正转模式的定义为:INA=H,INB=L,此时马达驱动端 OUTA 输出高电平,马达驱动端 OUTB 输出低电平时,马达驱动电流从 OUTA 流入马达,
从 OUTB 流到地端,此时马达的转动定义为正转模式。
c) 反转模式
反转模式的定义为:INA=L,INB=H,此时马达驱动端 OUTB 输出高电平,马达驱动端 OUTA 输出低电平时,马达驱动电流从 OUTB 流入马达,
从 OUTA 流到地端,此时马达的转动定义为反转模式。
d) 刹车模式
刹车模式的定义为:INA=H,INB=H,此时马达驱动端 OUTA 以及 OUTB 都输出低电平,马达内存储的能量将通过 OUTA 端 NMOS 管或者
OUTB 端 NMOS 快速释放,马达在短时间内就会停止转动。注意在刹车模式下电路将消耗静态功耗。
e)PWM 模式 A
当输入信号 INA 为 PWM 信号,INB=0 或者 INA=0,INB 为 PWM 信号时,马达的转动速度将受 PWM 信号占空比的控制。在这个模式下,
马达驱动电路是在导通和待机模式之间切换,在待机模式下,所有功率管都处于关断状态,马达内部储存的能量只能通过功率 MOSFET 的体二极管缓
慢释放。
注意:在 PWM 模式 A 下,当输入信号从高电平跳变为低电平时,按照逻辑要求 H 桥的 4 个功率管必须全部进入关断的状态。MX620B 内部设计了
关断延迟电路,当输入信号从高电平跳变到低电平时,H 桥的 NMOS 功率管立即关断,而高边的 PMOS 管仍然会维持 30us 的导通时间,在此期间电
机电流通路如下所示。
f)PWM 模式 B
当输入信号 INA 为 PWM 信号,INB=1 或者 INA=1,INB 为 PWM 信号时,马达的转动速度将受到 PWM 信号占空比的控制。在这个模式下,
马达驱动电路输出在导通和刹车模式之间,在刹车模式下马达存储的能量通过低边的 NMOS 管快速释放。
2 、 防共态导通电路
在全桥驱动电路中,将半桥内的高边 PMOS 功率管和低边 NMOS 功率管同时导通的状态称为共态导通状态。共态导通将出现一个电源至地的瞬
态大电流,该电流会引起额外的功耗损失,极端情况下会烧毁电路。通过内置死区时间,可避免共态导通。典型的死区时间为 300ns。
3 、 过热保护电路
当驱动电路结温超过预设温度(典型值为 150℃)时,TSD 电路开始工作,此时控制电路强制关断所有输出功率管,驱动电路输出进入高阻状态。
TSD 电路中设计了热迟滞,只有当电路的结温下降到预设温度(典型值 130℃)时,电路返回正常工作状态。
4 、限流保护电路
电路内部的比较电路能够实时检测 PMOS 功率管的导通压降,当导通压降超过内部设定值时,功率管驱动电路将驱动功率 PMOS 进入线性恒流
模式,其最大输出电流由内部电路限制。结温为
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