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半导体物理
期末复习大纲
主讲人:蒋玉龙
微电子学楼312室Email: yljiang@
21
重要公式
D
=
kT
q
μ
J
J
dn
n =
扩
qD
n
dx
n = μ
漂 n
qn
E
dE
J n F
n = μ
n
dx
J
J
dp
dx
p = ?
扩 p
qD
p = μ
漂 p
qp E
pn结
?
kT N N
V ln
= ?
A
?
D n
2
q
?
i
D
?
?
?
?
n(x)
=
? qV (x)?
qV ??
(x)?
=
n exp p(x) p exp
0 ? ? ??
?
p p0
? ? ? kT
kT
重要公式
突变结耗尽近似
1/ 2
( )
? ε ε ? ?
r V V
2 D
d=
0
? ?
q N
? ?
pn结
? +
x x
Δ = Δ ? ?
n(x) n( x ) exp
p
?
p L
?
n
?
?
?
?
? ? ? ?
? qV ?
Δ (? ) = exp 1
n x n ?
? ?
p
p0 kT
? ?
? ?
? ?
x x
?
Δ = Δ ?
p(x) p(x ) exp
n
?
n L
?
p
?
?
?
?
? ? ? ?
? qV ?
Δ ( ) = exp 1
p x p ?
? ?
n n
0 kT
? ?
? ?
J
?
2
qD n
qD n
2
?
= +
p i
n i
?
s L N
L N
?
p D n A
?
?
?
?
2
n
p 0 =
0 =
i
n N
D
2
n
n i 0 =
0 =
p N
A
J
? ? ? ?
? qV ?
= exp 1
J ?
? ?
s
? ?
kT
? ?
重要公式
q ns W
φ = ?
m
χ
? ε ε ?
2
( )
= V ?V
0 r
? ?
D
qN
? ?
D
1
2
金半接触 d
J
=
(V ) J (V ) J (0)
= +
s m m s
→ →
( )[exp( ) 1]
* 2 ? ?
φ
A T exp q kT qV kT
ns
重要公式
E E
?
V is ib
= ?
s
q
半导体表面与MIS结构
E(x)
=
±
?
n
2kT qV (x)
?
p0
p0
F ,
?
qLD p
kT
?
?
?
?
?
?
2 kT
ε
?
L
=
s
?
D q p
2
?
p0
1/ 2
?
?
?
?
F
?
?
?
?
qV
kT
,
1/
? ? ?
n ? ? + ? n ? ? ? ?
? ? ? qV ? qV
qV ? ??
?? qV
?
p0 = exp 1 + exp 1
p0
? ? ? ?
? ? ? ?
?
p ? ? kT p ?
? kT
kT ? kT ?
? ? ? ?
? ? ?
p0 p0
2
1/ 2
? ?
dQ 2 2
ε n ε
p0
C lim 1
= = ? + ? ≈
s s s
FB V
dV L p L →
0
? ?
s
s D p0 D
d
max
=
?
?
?
?
2
ε
q
s
2V
B
N
A
1/
?
?
?
?
2
重要公式
1 dV dV dV 1 1
= = + = +
G ox s
C dQ dQ dQ C C
m s ox s
? ?
ε
kT
C C
= 1 ?
+ ?
ox
?
FB q N
ox ε
2
d
? ?
ox A s
C
min
1
=
1/ 2
C
ox
?
?
ε
4 kT
s
2
q N
A
?
N
?
?
?
ln
A
?
?
?
?
ε
n
i
?
?
?
?
1
+
ox
ε
d
s
ox
1
2
半导体表面与
MIS结构
Q
1 ρ
x
d
∫
VFB x dx
= ? ?
V ( )
f ? ox
ms
C C d
0
ox ox ox
重要基础知识
d
V x x ρ
2 ( ) = ? ( )
ρ
2
ε ε
dx
0 r
∫∫ K K
E ds
?
S
=
Q
ε ε
0 r
∫
V ( )
= ? E x dx
( ) ρ = + ? ? + ?
(x) q N N p n
D A
ε ε
C r
=
0
d
玻尔兹曼统计
耗尽近似
A ( p nb
? 2 )
? μ ? ? μ ? μ
R
= A
? = ?
H ? ? = =
H H
? ? ?
( )
H + μ μ μ
2
q p nb ? ? ?
?
n p
重要物理图象
-非平衡p-n结的能带图
非平衡p-n结的能带图
-电压完全降在势垒区
- - - - - -
V
++ + +++
V V - +
- - - - - -
+ -
P N P N P N
++ + +++
- - - -
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