资料IGBT驱动技术概述.ppt

1.3 IGBT驱动要素--保护功能 一般IGBT驱动器都设有一个基本的IGBT保护功能，即当IGBT元件发生过流和短路路时，能在允许的时间内关断IGBT元件。 ., * 1.4 IGBT驱动设计中需考虑的问题 驱动电路与 IGBT 的连线要尽量短 IGBT 与 ?MOSFET 都是电压驱动，都具有一个2.5V~ 5V? 的阈值电压，有一个容性输入阻抗，因此 IGBT 对栅极电荷非常敏感故驱动电路必须很可靠，要保证有一条低阻抗值的放电回路。 ., * 1.4 IGBT驱动设计中需考虑的问题 用内阻小的驱动源对栅极电容充放电 以保证栅极控制电压 Uge, 有足够陡的前后沿，使IGBT 的开关损耗尽量小。另外， IGBT 开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率，维持Uge 的恒定。 ., * 1.4 IGBT驱动设计中需考虑的问题 驱动电平+Uge 必须综合考虑 Uge增大时，IGBT? 通态压降和开通损耗均下降，但负载短路时的Ic增大，IGBT能承受短路电流的时间减小，对其安全不利，因此在有短路过程的设备中 Uge 应选得小些，一般选?12～15V。 ., * 1.4 IGBT驱动设计中需考虑的问题 负偏压Uge也有限制 在关断过程中，为尽快抽取?PNP管的存储电荷，须施加一负偏压Uge,但它受IGBT的G 、E间最大反向耐压限制，一般取–1V～-15V。 ., * 1.4 IGBT驱动设计中需考虑的问题 门极电阻 Rg?需综合考虑 门极电阻 Rg? 增加，将使 IGBT 的开通与关断时间增加；因而使开通与关断能耗均增加。而门极电阻减少，则又使 diC/dt 增大，可能引发 IGBT 擎住效应，同时 Rg 上的损耗也有所增加。 为了减小diC/dt且不影响向 IGBT 的开关损耗，往往在门极与射极之间并一电容Cge。 IGBT 的栅极驱动电路应尽可能简单实用，抗干扰能力强 ., * 2 国内外典型IGBT驱动器概述 2.1 概述 2.2 三菱公司的M57962L 2.3 富士公司的EXB841 2.4 CONCEPT公司IGD515 2.5 BOBADIER公司的DYTP 140A ., * 2.1 国内外典型IGBT驱动器概述 国内外生产或出售IGBT驱动器的公司很多 主要有德国的CONCEPT公司，日本的三菱公司、富士公司，瑞士的ABB公司，瑞典的BOBADIER公司等。其中CONCEPT公司是专门生产和出售IGBT驱动器的，其产品比较齐全，对用户的再设计要求比较少。 ., * 2.1 国内外典型IGBT驱动器概述 由于用于出售的IGBT驱动器或驱动芯片集成度较高且驱动能力将，很多价格也比较便宜，对于要求不高或批量不大的场合（如IGBT的开关损耗没要求），最好首选专门的IGBT驱动器或驱动芯片，给设计带来简便 对于我们所内，作为国内IGBT技术的先驱，生产和研究IGBT驱动是非常必要的，不管是大功率IGBT驱动技术，还是小功率和要求不高的场合，但可以尽量采用一些专门的集成芯片 ., * 2.1 国内外典型IGBT驱动器概述 一般驱动网上报价表 ., * 2.2 三菱公司的M57962L 主要技术参数： VCCmax=18V VEEmax=-15V VI =-1～7V 输出电流峰值：±5A 适用于驱动小功率的IGBT元件或MOSFET ., * 2.2 三菱公司的M57962L ., * 2.2 三菱公司的M57962L ., * 2.3 富士公司的EXB841 主要技术参数： VCCmax=25V 输出反偏电压－5V 输出电流峰值：±4A 最大开关频率：40kHz 适用于驱动小功率的IGBT元件或MOSFET ., * 2.3 富士公司的EXB841 ., * 2.4 CONCEPT公司IGD515 主要特点： 带有电源隔离电路,外接电路简单 输出电压将近±15V 输出电流峰值±15A 开关频率可达MHz 光纤传送抗干扰能力强 适用于驱动IGBT元件或大功率MOSFET ., * 2.4 CONCEPT公司IGD515 ., * 2.4 CONCEPT公司IGD515 外围电路图： ., * 2.4 CONCEPT公司IGD515 驱动电路： RONROFF ., * 2.4 CONCEPT公司IGD515 光纤接收电路 有光，INPUT为低电平 无光，INPUT为＋5V ., * 2.4 CONCEPT公司IGD515 光纤反馈电路 MOSFET导通，光纤不发光 MOSFET不导通，光纤发光 ., * 2.