第8章IC工艺晶体外延生长技术.pptxVIP

;第四单元：薄膜技术;第8章： 晶体外延生长技术;;;8.1外延层的生长 8.1.1生长的一般原理和过程 SiCl4的氢化还原——成核——长大 ;一般认为反应过程是多形式的两步过程 如: (1) 气相中 SiCl4+H2=SiCl2+2HCl 生长层表面 2SiCl2=Si+SiCl4 (2) 气相中 SiCl4+H2=SiHCl3+HCl 生长层表面 SHiCl3+H2=Si+3HCl;;在(111)面上生长,稳定的是双层面,位置7、8、9比位置1、2、3、4稳定;在一定的衬底温度下，1、2、3、4位的原子很容易扩散（游离）到7、8、9相应的位置，使生长迅速在横向扩展。 即，可看成是多成核中心的二维生长。 如：1200°C时 V（111）~几百埃/分 V（112）~几百微米/分;8.1.2生长动力学(14.2, 14.3) 与热氧化过程不同的是，外延时只有气相质量转移过程和表面吸附（反应）过程。;因而，气相外延是由下述步骤组成的多相过程 1）反应剂分子以扩散方式从气相转移到生长层 表面 2）反应剂分子在生长层表面吸附； 3）被吸附的反应剂分子在生长层的表面完成化 学反应，产生硅原子及其它副产物； 4）副产物分子丛表面解吸； 5）解吸的副产物以扩散的形式转移到气相，随