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4. 输出级 I C13 R 8 u o + V CC ? V EE T 14 u I D 1 R 9 R 10 T 19 T 18 R 7 T 15 D 2 图 4.3.1-4 F007 输出 级原理电路 T 14 、 T 18 、 T 19 准 互补对称电路； D 1 、 D 2 、 R 9 、 R 10 过载保护电路； T 15 、 R 7 、 R 8 为功 率管提供静态基流。 V 7 . 0 ) 1 ( 8 7 B E15 8 8 7 CE15 ? ? ? ? ? R R U R R R U 调节 R 7 、 R 8 阻值可调节两个功率管之间的电压差。 这种电路称为 U BE 倍增电路。 4.3.2. 单极型集成运放 T 2 +v DD -v ss u i1 u i2 v GS3 v GS4 u oD1 u oD2 v GS1 v GS2 T 3 T 1 T 4 i D3 i D4 i D1 i D2 I RE F T REF T 5 T 6 T 7 I D5 I D6 I 0 v GS7 v GS6 v GS5 v GSR 一、电路结构 双入双出差分式放大电路 耗尽型 NMOSFET 对管 T 1 、 T 2 有源负载 增强型 NMOSFET 对管 T 3 T 4 偏置电路 T REF 、 T 5 、 T 6 T 7 组成。 二、工作原理 电路的基准电流 I REF ＝ I D5 ＝ I D6 ＝ I 0 静态分析 I D1 ＝ I D2 ＝ I 0 /2 输出电压 U oQ ＝ U oD1Q - U oD2Q ＝ 0 动态分析 u o ＝ u oD1 - u oD2 差模电压增益 A VD ＝ u o / u id ＝ - g m (r ds1 // r ds3 ). 4.4 集成运放的性能指标及低频等效电路 一、开环差模电压增益 A od 一般用对数表示，定义为 ? ? ? U U U A Δ Δ Δ lg 20 - O od 单位：分贝 理想情况 A od 为无穷大； 实际情况 A od 为 100 ~ 140 dB 。 4.4.1 集成运放的主要性能指标 二、输入失调电压 U IO 三、输入失调电压温漂 ? U IO 定义： 为了使输出电压为零，在输入端所需要加的 补偿电压。 一般运放： U IO 为 1 ~ 10 mV ； 高质量运放： U IO 为 1 mV 以下。 定义： T U U d d IO IO ? ? 一般运放为 每度 10 ~ 20 ? V ； 高质量运放低于每度 0.5 ? V 以下； 四、输入失调电流 I IO 五、输入失调电流温漂 ? I IO 当输出电压等于零时，两个输入端偏置电流 之差，即 定义： B2 B1 IO I I I ? ? 一般运放为 几十 ~ 一百纳安；高质量的低于 1 nA 。 定义： T I I d d IO IO ? ? 一般运放为 每度几纳安；高质量的每度几十皮安。 六、输入偏置电流 I IB 七、差模输入电阻 r id 八、共模抑制比 K CMR 定义： 输出电压等于零时，两个输入端偏置电流的 平均值。 ) ( 2 1 B2 B1 IB I I I ? ? 定义： Id Id id Δ Δ I U r ? 一般集成运放为几兆欧。 定义： oc od CMR lg 20 A A K ? 多数集成运放在 80 dB 以上，高质量的可达 160 dB 。 九、最大共模输入电压 U Icm 输入端所能承受的最大共模电压。 十、最大差模输入电压 U Idm 反相输入端与同相输入端之间能够承受的最大电压。 十一、 ? 3 dB 带宽 f H 表示 A od 下降 3 dB 时的频率。一般集成运放 f H 只 有几赫至几千赫。 十二、 单位增益带宽 f c A