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至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 31 热阻的工艺控制 — 测试筛选 晶体管的热阻测试原理： 在一定范围内 pn 结的正向压降 Vbe 的变化与 结温度的变化△ T 有近似线性的关系： △ Vbe ＝ k △ T 对于硅 pn 结， k 约等于 2 ，热阻的计算公式为： Rth ＝△ T/P 只需加一个稳定的功率，测量晶体管的△ Vbe 即可计算出晶体管的热阻 R T 。 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 32 热阻测试筛选设备的优点 进行热阻测试筛选，我们用的是日 本 TESEC 的△ Vbe 测试仪 。 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 33 热阻测试筛选设备的优点 △ Vbe 测试仪的性能参数及优点： 测试精度： 0.1mV 脉冲时间精确度： 1us 最高电压： 200V 最大电流： 20A 优点： 1. 精度高，且精度高可达到 0.1mV ，重复性好。 2. 筛选率高 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 功率器件封装工艺流程 2 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 2 主要内容 主要内容介绍 一、功率器件后封装工艺流程 二、产品参数一致性和可靠性的保证 三、产品性价比 四、今后的发展 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 3 功率器件后封装工艺流程 划片 粘片 压焊 塑封 老化 打印 管脚上锡 测试 切筋 检验 包装 入库 Die bonding Die saw wire bonding molding marking Heat aging plating segregating Testing Inspection Packing Ware house 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 4 功率器件后封装工艺流程 —— 划片 划片 圆硅片 划片及绷片 后的圆片 划片：将圆片切割成单个分离的芯片 划片特点：日本 DISCO 划片机，具有高稳 定性，划片刀的厚度 25um ，芯片损耗小。 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 5 日本 DISKO 划片机 功率器件后封装工艺流程－划片车间 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 6 功率器件后封装工艺流程 —— 粘片 （将单颗芯片粘结到引线框架上） 实物图 划片 粘片 压焊 塑封 打印 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 7 我公司粘片的特点 1 、自动粘片机，芯片和引线框架的粘结牢固， 一致性好。 2 、优质的框架及焊接材料使用，获得良好的 热学和电学特性。 3 、芯片与框架的热匹配性良好，芯片和框架 之间的应力达到最小，热阻小，散热性好。 4 、氮氢气体保护，避免高温下材料氧化。 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 8 功率器件后封装工艺流程 —— 粘片车间 粘片员工在认真操作 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 9 功率器件后封装工艺流程 —— 粘片车间 全新的 TO-220 粘片机 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 10 功率器件后封装工艺流程 - 压焊 压焊：用金丝或铝丝 将芯片上的电极跟外 引线（框架管脚）连 接起来。 金丝－金丝球焊 铝丝－超声波焊 金丝 或铝丝 压焊示意图 划片 粘片 压焊 塑封 打印 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 11 压焊的特点 1 、自动压焊机，一致性好，焊点、弧度、 高度最佳，可靠性高。 2 、根据管芯的实际工作电流选择引线直 径规格，保证了良好的电流特性 。 压 焊 实 物 图 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 12 功率器件后封装工艺流程 —— 压焊车间 全新的 KS TO-92 压焊机 压焊车间 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 13 功率器件后封装工艺流程 - 塑封 塑封体 框架管脚 塑封：压机注 塑，将已装片的 管子进行包封 塑封示意图 划片 粘片 压焊 塑封 打印 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 14 塑封的特点 采用环氧树脂塑封材料 封装， 阻燃，应力 小，强度高，导热 性好，密封性好， 保证晶体管大功率 使用情况下具有良 好散热能力，管体 温度低。 塑封机 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 15 功率器件后封装工艺流程 —— 塑封车间 塑封生产车间的景象 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 16 功率器件后封装工艺流程 激光打标 激光打印机 在管体打上标记 塑封 切筋 打印 电镀 测试 老化 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 17 功率器件后封装工艺流程 - 电镀切筋 电镀： 纯锡电镀， 符合无铅化要求 切筋：器件分散 连筋 切筋示意图 塑封 切筋 打印 电镀 测试 老化 至诚至爱，共创未来 SI SEMI. 18 功率器件后封装工艺流程 —— 切筋 切筋员工在 操作