第一章电力电子器件全控器件.ppt

§ 1.4.4 绝缘栅双极晶体管： 基本特性 1 ． IGBT 的静态特性 （ 3 ）输出特性（伏安特性） 以 U GE 为参考变量时， I C 与 U CE 间的关系，分为三个区 ● 正向阻断区，对应于 GTR 的截止区； ● 有源区，对应于 GTR 的放大区； ● 饱和区，对应于 GTR 的饱和区； （ 4 ） 当 U CE 0 时， IGBT 处于 反向阻断工作状态 。 O 有源区 正向阻断区 饱 和 区 反向阻断区 a) b) I C U GE(th) U GE O I C U RM U F M U C E U GE(th) U G E 增加 转移特性 输出特性 § 1.4.4 绝缘栅双极晶体管： 基本特性 2 ． IGBT 的动态特性 t t t 10% 90% 10% 90% U CE I C 0 0 0 U GE U GEM I CM U CEM t fv1 t fv2 t off t on t fi1 t fi2 t d(off) t f t d(on) t r U CE(on) U GEM U GEM I CM I CM （ 1 ）开通时间 t on ＝ 开通延迟时间 t d(on) ＋ 电流上升时间 t r 开通过程与 MOSFET 的开通过程相似； IGBT 的开通过程 t t t 10% 90% 10% 90% U CE I C 0 0 0 U GE U GEM I CM U CEM t fv1 t fv2 t off t on t fi1 t fi2 t d(off) t f t d(on) t r U CE(on) U GEM U GEM I CM I CM § 1.4.4 绝缘栅双极晶体管： 基本特性 2 ． IGBT 的动态特性 （ 2 ）关断时间 t off ＝关断延迟时间 t d(off) ＋电流下降时间 t f ★ 因 IGBT 中双极型 PNP 晶体管 的存在，带来了电导调制效应 的好处；但也引入了少子储存 现象，因而 IGBT 的开关速度 低于电力 MOSFET 。 IGBT 的开通过程 § 1.4 典型全控型器件 § 1.4.1 门极可关断晶闸管 § 1.4.2 电力晶体管 § 1.4.3 电力场效应晶体管 § 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 § 1.4 典型全控型器件 ★ 20 世纪 80 年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自 发展的基础上相结合 —— 高频化、全控型、采用集成电路 制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了 一个崭新时代； ★ 门极可关断晶闸管 —— 在晶闸管问世后不久出现； ★ 典型器件： ● 门极可关断晶闸管 ● 电力晶体管 ● 电力场效应晶体管 ● 绝缘栅双极晶体管 1 ．结构（和普通晶闸管相对比） ● 相同点： PNPN 四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极 ● 不同点： GTO 是一种多元的功率集成器件， 内部包含数十个甚至数百个共阳极 的小 GTO 元，这些 GTO 元的阴极 和门极则在器件内部并联在一起。 § 1.4.1 门极可关断晶闸管 GTO 一．图形符号和工作原理 门极可关断晶闸管（ Gate-Turn-Off Thyristor ）是晶闸管的一种 派生器件，导通控制与普通晶闸管一样。并可通过在