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第5章 场效应管及其基本放大电路;;图5.1?3 JFET与(NPN)BJT的符号比较 ;2. VGS对ID的影响;2）VGS=0, VDS?0，且VDS可变;当VDS增大到VDS（= -VGD） = -VP时，漏端耗尽层刚刚相接，沟道漏端被夹断。这种情况称为预夹断。 VDS继续增加，夹断区会加长，见 图5.1?5 (b)。 夹断区的加长并不意味着ID将下降，甚至为0。ID基本不随VDS变化。这时的电流称为饱和漏电流IDSS。;3）VDS0，VGS0且VGS可变 ;由以上分析可见： 改变加在PN结两端的反向偏置电压，即改变了PN结中的电场，就可以改变耗尽层的宽度；也就改变了沟道电阻的大小，从而实现对漏极电流ID的控制。所以，场效应管是电压控制器件。 由于PN结处于反向接法，因而可以认为栅极基本不取电流，即IG约等于零，所以场效应管的输入电阻很高。 ;5.1.3 伏安特性;图 5.1?9 JFET的输出特性曲线;5.1.3 伏安特性;5.1.3 伏安特性;5.1.4 主要参数;5.1.4 主要参数;5.2 绝缘栅型场效应管（MOSFET）;5.2.1 N沟道增强型MOSFET;5.2.1 N沟道增强型MOSFET;2. 工作原理;2. 特性曲线 1）输出特性;2. 特性曲线 2）转移特性;5.2.2 N沟道耗尽型MOSFET;2. 工作特点与特性曲线;5.3 F