电子科大集成电路工艺第十五章.pptVIP

1 第十五章 光刻 光刻胶显影和先进的光刻技术 微固学院 张金平 jinpingzhang@uestc.edu.cn 2 15.1 引言 本章主要内容： ? 光刻胶显影技术 ? 先进的光刻技术 本章知识要点： ? 掌握光刻胶的显影方法； ? 掌握光刻胶曝光后烘焙意义； ? 了解先进的光刻技术。 3 8) 显影后检查 5) 曝光后烘焙 6) 显影 7) 坚膜 UV Light Mask 4) 对准和曝光 Resist 2) 涂胶 3) 前烘 1) 气相成底膜 HMDS 光刻的八个步骤 15.1 引 言 4 15.2 曝光后烘焙 5 15.2 曝光后烘焙 DUV 曝光后烘焙 ? 促进化学反应 ? 温度均匀性 典型的后烘温度在 90 ℃至 130 ℃之间，时间约为 1 到 2 分钟，通常比软供温度高 10 到 15 ℃。 ? 曝光后烘焙延迟（表层不溶的阻止层） I-Line 曝光后烘焙 提高光刻胶的粘附性并减少驻波 6 PAG PAG PAG PAG PAG PAG PAG PAG H + H + H + H + H + H + H + H + H + H + } 未被曝光的 光刻胶区 中性化的 光刻胶区 被曝光的光刻胶 的酸催化反应 (PEB 后 ) 显影 光刻胶的 T 型 15.2.1 胺染污引起的“ T- top” 7 (d) PEB 的结