电力电子电路第一二章XXXX1107.pptx

电力电子电路;;;1.1电力电子器件的分类;1.1电力电子器件的分类;;;;;;;1.3晶闸管-封装 ;1.3晶闸管-螺栓式;1.3晶闸管-平板式;1.3晶闸管-模块式;水冷式;;Eg;;门极加正电压;导通后门极加负电压;导通后撤除门极电压;导通后减小阳极电流;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;存贮时间ts：从门极关断电流峰值10%到阳极电流降至可关断电流90%时间。 (2)下降时间tf：阳极可关断电流从90%下降到10%所需的时间。 (3) 尾部时间tt：阳极电流从10%IA回升，后衰减至断态漏电流的时间。 ;;;;;;;;;;1.5 GTR-主要参数;;;◆电力MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 ?当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。 ?对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道的称为增强型。 ?在电力MOSFET中，主要是N沟道增强型。 ;;;;;;1.7 绝缘栅双极型晶体管(IGBT);;;;;;;;;;;;;;■例2-1 在图2-1所示的降压斩波电路中，已知Ud=200V，R=10Ω，L值极大，Ts=50 ?s，ton=20?s，计算输出电压平均值Uo，输出电流平均值Io。若存在负载Em=20V，求输出电流平均值Io