电力电子应用技术_第十讲驱动与保护.pptxVIP

第10讲 功率半导体器件驱动与保护技术; 驱动电路概述 晶闸管与IGCT驱动技术 MOSFET与IGBT驱动电路设计应用 半导体器件应用中的保护技术;驱动电路概述;一般驱动电路的特点： 电气隔离 驱动功率 检测保护 故障反馈 集成度与可靠性;常用的驱动电路实物展示：;;驱动电路与功率器件连接展示：;驱动电路基本原理： 按照控制信号到功率器件门控极的连接方式分为直接驱动和隔离驱动 ;光电耦合隔离驱动方式;晶闸管与IGCT同属于闸流管类；IGBT和MOSFET属于晶体管类。 ;晶闸管驱动 门极触发电路要求： 保证脉冲宽度 保证脉冲幅度和陡度 保证脉冲功率 ;MOS与IGBT是门控电压型器件，工作频率相对较高。驱动电路功率要求较低，频率要求较高。 对于小功率低压的MOSFET，一般可以直接驱动或者通过带自举电路的供电方式进行电压隔离工作 对于中大功率高压IGBT，一般采用电磁或光电隔离的驱动方式工作;MOSFET驱动电路要求： 开关管开通瞬时, 提供足够大电流使MOSFET栅源极电压迅速上升,保证开关管快速开通且不存在上升沿高频振荡; 开关管导通期间保证MOSFET栅源极间电压保持稳定 关断瞬间能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断 关断期间驱动电路最好能提供一定的负电压避免受到干扰产生误导通 ;MOSFET驱动 常用