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;目 录;电力半导体器件;电力半导体器件分类;电力二极管;电力二极管的主要参数;电力二极管的主要作用;功率晶体管GTR;GTR基本知识;GTR基本知识;GTR基本知识;GTR主要参数;GTR主要参数;GTR主要参数;MOSFET;MOSFET;MOSFET;MOSFET;MOSFET;主要参数 1、漏极击穿电压BUD BUD是不使器件击穿的极限参数，它大于漏极电压额定值 BUD随结温的升高而升高，这点正好与GTR和GTO相反。 2、漏极额定电压UD 　　UD是器件的标称额定值。 3、漏极电流ID和IDM 　　ID是漏极直流电流的额定参数；IDM是漏极脉冲电流幅值 4、栅极开启电压UT 　　UT又称阀值电压，是开通Power MOSFET的栅-源电压，它为转移特性的特性曲线与横轴的交点。施加的栅源电压不能太大，否则将击穿器件。 5、跨导gm gm是表征Power MOSFET 栅极控制能力的参数。 ;MOSFET;IGBT;IGBT;IGBT;IGBT的基本特性;IGBT的基本特性;IGBT的基本特性;IGBT的基本特性;IPM;IPM;PIM;IGBT、GTR、GTO、MOSFET;整流电路;单相桥式整流电路;单相桥式整流电路;单相桥式整流电路;三相桥式整流电路;三相桥式整流电路;逆变电路;逆变电路;逆变电路;逆变电路;逆变电路;逆变电路;逆变电路