带关断的低温漂CMOS带隙基准电压源.docVIP

≡CR0508≡ 带关断的低温漂CMOS带隙基准电压源 一．概述 采用CMOS技术设计的带隙式电压基准源，输出电压为：VREF=1.29371V。 其设计思想是利用PTAT电流产生的正温度系数电压与晶体管的射基级负温度系数电压相加，来产生理论上温度系数可为零的高精度高稳定性基准电压。另外还设计了一种快速启动电路使得芯片能够很快进入工作状态。 二．特性 在Vdd＝5V，T＝27℃时， 输出电压 Vref=1.29371V 静态电流 Iq=21.3uA 输出电压漂移 18.8ppm 温度漂移 25.8ppm 电源抑制比 PSRR＝-76dB 三．应用 适用于需要高精度高稳定性的参考电压应用场合下，范围非常广。 四．引脚说明 名称 说明 I/O方向 功能 备注 Vdd 电源 输入 电源 2.0-5.5V Gnd 参考地 输入 参考地 SHUTDOWN 关断 输入 高电平有效，进入低功耗状态，低电平电路正常工作 VREF 基准输出 输出 输出基准参考电压 五．电气参数 没特殊指明，电源电压为5V在正常工作模式下： 符号 参数 条件 标准 限制 单位 Vdd 电源电压 5 2.0 V(最小) 5.5 V(最大) Vref 输出电压 1.29371 1.29392 V Iq 静态电流 20.3 20.9 uA ⊿Vref/⊿Vdd 电压漂移 4V到5V测