模拟电子电路2章2(XXXX02)西北工业大学.pptxVIP

2.3 二极管;2.3 二极管;2.3.1 晶体二极管的结构类型;二极管的结构示意图;总结;6;2.3.2 晶体二极管的伏安特性曲线;2.3.2 晶体二极管的伏安特性曲线;二极管的伏安特性曲线;(1) 正向特性;(2) 反向特性;在反向区，硅、锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡， 反向饱和电流也很小； 锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较 圆滑，反向饱和电流较大。 ;;2.3.3晶体二极管的参数;3、 反向电流IR;2.4 二极管基本电路及分析方法;2.4 二极管基本电路及分析方法;2.4.1 晶体二极管的模型;　二、恒压模型;　三、折线模型;　三、折线模型;2.4.2 二极管基本应用电路;1、半波整流;2、全波整流;2、全波整流;26;;并联二极管上限幅电路 ; Ｅ＝０V, 限幅电平为０V。uｉ＞０时二极管导通, uo＝０V； ui＜０V, 二极管截止, uo＝uｉ。波形如图(a)所示。 ０＜Ｅ＜Um, 则限幅电平为＋Ｅ。uｉ＜Ｅ, 二极管截止, uo＝uｉ；uｉ＞Ｅ, 二极管导通, uo＝Ｅ。波形图如图 (ｂ)所示。 －Um＜Ｅ＜０, 则限幅电