第七章 集成光学器件的材料教学幻灯片.pptVIP

* 第七章 集成光学器件的材料 目录 7.1 光子集成用材料的共同要求 7.2 半导体材料 7.2.1 间接带隙半导体材料 7.2.2 直接带隙半导体材料 7.3 介质材料 7.3.1 LiNbO3和LiTaO3晶体 7.3.2 ZnO晶体 7.4 聚合物材料和玻璃材料 7.4.1 聚合物材料 7.4.2 玻璃材料 7.5 磁性材料 7.1 光子集成用材料的共同要求 包括无源器件和有源器件的集成 共同要求 要易于形成质量良好的光波导，满足器件功能要求；包括：易于实现光波导；在给定波长范围内损耗≤1dB/cm 集成性能良好，即在同一衬底上可以制备出尽可能多的不同功能的器件；包括制作有源器件的带隙宽度、阈值等，电/光器件的兼容性等---目前最大的困难 材料本身和加工的经济性 7.2.1 间接带隙半导体材料 7.2.2 直接带隙半导体材料 光子与半导体作用遵循 能量守恒： 动量守恒：p＝?k 电子波矢k=2?/? 7.2.1 间接带隙半导体材料---Si 优势 硅片尺寸大（12‘）、质量高、价格低、机械性能好、加工方便 平面硅工艺是目前最重要的IC工艺，最成熟 具有诸如电光等效应、波导损耗低、可制作光检波器件 问题---作为光源量子效率太低，载流子迁移速度低 用途 混合集成的衬底---硅基集成光子学！！！ 光波导及光波导器件（光分波/合波器件，，，） 热光