14 场效应管 (2)教学教案.pptVIP

1.4　场效应晶体管;N沟道;;一、结型场效应管工作原理;1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用;2. 当uGS 为UGS（Off)~0中一固定值时, uDS 对漏极电流iD的影响。;uDS ↑ → uGD = UGS(off)， 沟道预夹断;3.当uGD uGS(off),时， , uGS 对漏极电流iD的控制作用;小结;二、结型场效应管的特性曲线;2. 输出特性曲线;IDSS/V;＊　结型P 沟道的特性曲线; 结型场效应管的缺点：;1.4.2　绝缘栅型场效应管 MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;一、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET);1. 工作原理;(2) UDS = 0，0 UGS UGS(th);(4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UGS(th));D;3. 特性曲线与电流方程;二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管;N 沟道耗尽型 MOS 管特性;三、P沟道MOS管;注意事项;种 类;种 类;不同类型 FET 转移特性比较;练习;1.4.3　场效应管的主要参数;二、交流参数;三、极限参数;例2;解;从输出特性曲线可得 uGS ＝10V时d-s之间的等效电阻 (D在可变电阻区，任选一点，如图);;