原子层沉积专题.pptVIP

李兴存 等离子体物理与材料实验室 2010.1.22 “原子层沉积”专题汇报 Atomic Layer Deposition ? 引言及背景 ? 原子层沉积的基本模式 ? 原子层沉积的优势 ? 原子层沉积的先驱体、材料及过程 ? 原子层沉积的应用 概要 1. 引言及背景 原子层沉积（ ALD ： atomic layer deposition): 是一种基于 有序 、 表面自饱和 反应的化学气相沉积薄膜的方法。 先驱体：两种或者两种以上，各含所需沉积薄膜的元素， 交替吸附 在基片表 面，每次只有一种先驱体，彼此 独立 。每种先驱体使基片表面饱和形成一单 分子层。 冲洗气体：冲去表面吸附后多余的先驱体 —— 保证每一脉冲在基片表面形成 一单分子层；使先驱体彼此在气相不反应。一般是惰性气体，如 Ar 气、 N2 等。 时间： 1 秒 — 几秒，基于反应设备和过程的设计 温度：通常是 200 — 400 度 沉积速率：一般 1 埃 / 周期 1974, Finland, Suntola. ALD 技术的商业应用是由 Suntola 和他的合作者在 70 年代 中期发展起来的，为了生产薄膜电致发光平板显示器， 现在已经发展到多种工业应用，包括半导体器件的生产。 2. 原子层沉积的基本原