第九章光电传感器教学材料.ppt

第9章 光电式传感器;9.1 光电器件;若物体中电子吸收的入射光的能量足以克服逸出功A0时，电子就逸出物体表面，产生电子发射。故要使一个电子逸出，则光子能量hν必须超出逸出功A0 ，超过部分的能量，表现为逸出电子的动能。即;光电二极管、光电三极管;二 光电器件的特性参数;9.2.1 外光电效应型光电器件;1、光电管及其基本特性;光电管的伏安特性 ;光电管的光照特性;;光电管的光谱特性;2、光电倍增管及其基本特性;主要参数 ;9.2.2 内光电效应型光电器件; 内光电效应分类　 光电导效应　 ??光线作用下，对于半导体材料吸收了入射光子能量， 若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度， 就激发出电子-空穴对，使载流子浓度增加，半导体的导电性增加，阻值减低的现象。如光敏电阻 光生伏特效应 在光线的作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象。如光电池、光电二极管、光电三极管。 ;（1）光敏电阻;光敏电阻的结构;2. 光敏电阻的主要参数;3、光敏电阻的基本特性;光照特性;光谱特性;温度特性;光敏电阻的应用;2.带材跑偏检测仪;（2）光电池;光电池结构、符号;光电池种类 ;光电池基本特性;光照特性;频率特性;温度特性; 光敏二极管与三极管;没有光照射时，处于反向偏置的光敏二极管，工作于截止状态, 这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层，形成微小的反向电流即暗电流。这时反向电阻很大。 当光照射在PN结上时, 光子打在PN结附近, PN结附近产生光生电子和光生空穴对。从而使P区和N区的少数载流子浓度大大增加，因此在反向外加电压和内电场的作用下,P区的少数载流子渡越阻挡层进入N区， N区的少数载流子渡越阻挡层进入P区，从而使通过PN结的反向电流大为增加，形成光电流。这时二极管处于导通状态。光的照度越大, 光电流越大。;等效电路;2.光敏二极管的基本特性;2）伏安特性;3）光照特性;4）温度特性;3.光敏二极管的应用;二. 光敏三级管;NPN型光敏晶体管结构和基本电路 ;达林顿光敏管的等效电路 ;温度特性与光照特性;光敏管的基本特性;;光照特性 ;光敏二极管和三极管的主要差别 ;光敏管的应用;3.光敏三极管的应用;;2.转速传感器;7.2.4 光电耦合器件 光电耦合器件是由发光元件(如发光二极管)和光电接收元件合并使用，以光作为媒介传递信号的光电器件。根据其结构和用途不同，它又可分为用于实现电隔离的光电耦合器和用于检测有无物体的光电开关。 1. 光电耦合器 光电耦合器的发光元件和接收元件都封装在一个外壳内， 一般有金属封装和塑料封装两种。发光器件通常采用砷化镓发光二极管，其管芯由一个PN结组成，随着正向电压的增大，正向电流增加，发光二极管产生的光通量也增加。光电接收元件可以是光敏二极管和光敏三极管，也可以是达林顿光敏管。图7-20为光敏三极管和达林顿光敏管输出型的光电耦合器。为了保证光电耦合器有较高的灵敏度， 应使发光元件和接收元件的波长匹配。 ;图7-20 光电耦合器组合形式 ;光电耦合器的主要特性参数;光电耦合器的应用;; 2. 光电开关 光电开关是一种利用感光元件对变化的入射光加以接收， 并进行光电转换，同时加以某种形式的放大和控制，从而获得最终的控制输出“开”、 “关”信号的器件。 图7-21为典型的光电开关结构图。图(a)是一种透射式的光电开关，它的发光元件和接收元件的光轴是重合的。当不透明的物体位于或经过它们之间时，会阻断光路，使接收元件接收不到来自发光元件的光，这样就起到了检测作用。 图(b)是一种反射式的光电开关，它的发光元件和接收元件的光轴在同一平面且以某一角度相交，交点一般即为待测物所在处。当有物体经过时，接收元件将接收到从物体表面反射的光，没有物体时则接收不到。光电开关的特点是小型、高速、非接触，而且与TTL、 MOS等电路容易结合。 ;图7-21 光电开关的结构 (a) 透射式； (b) 反射式 ; 用光电开关检测物体时，大部分只要求其输出信号有“高-低” (1-0) 之分即可。 图8 - 22 是光电开关的基本电路示例。图（a）、（b）表示负载为CMOS比较器等高输入阻抗电路时的情况，图（c）表示用晶体管放大光电流的情况。 光电开关广泛应用于工业控制、自动化包装线及安全装置中作为光控制和光探测装置。可在自动控制系统中用作物体检测， 产品计数， 料位检测，尺寸控制， 安全报警及计算机输入接口等。 ;图7-22 光电开关的基本电路 ;9.4 光 纤 传 感 器;9.4　光纤传感器;1、光纤的结构;2、光纤的传光原理;