使用ATHENA的NMOS工艺设计仿真.pdfVIP

范文 范例 指导 参考 §4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD 本章将向读者介绍如何使用 SILVACO 公司的 TCAD 工具 ATHENA 来进行工艺仿真以 及 ATLAS 来进行器件仿真。假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET(金 属氧化物半导体场效应晶体管)和 BJT （双极结晶体管）的基本概念。 4.1 使用ATHENA的NMOS工艺仿真 4.1.1 概述 本节介绍用 ATHENA 创建一个典型的 MOSFET 输入文件所需的基本操作。包括： a. 创建一个好的仿真网格 b. 演示淀积操 c. 演示几何刻蚀操 d. 氧化、扩散、退火以及离子注入 e. 结构操 f. 保存和加载结构信息 4.1.2 创建一个初始结构 1 定义初始直角网格 a. 输入 UNIX 命令： deckbuild-an，以便在 deckbuild 交互模式下调用 ATHENA 。在 短暂的延迟后， deckbuild 主窗口将会出现。如图 4.1 所示，点击 File 目录下的 E