第二章-光学曝光技术课件(1)资料讲解.pptVIP

1、灵敏度: 光刻胶通过显影完全被清除所需要的曝光剂量（正胶）；光刻胶在显影后有50%以上的胶厚得以保留时所需要的曝光剂量（负胶）。是衡量曝光速度的指标，灵敏度越高，所需曝光剂量越小，曝光时间越短。 灵敏度太低会影响生产效率，所以通常希望光刻胶有较高的灵敏度。但灵敏度太高会影响分辨率。通常负胶的灵敏度高于正胶。 光刻胶的一些特性 正胶负胶的灵敏度和对比度定义 二. 对比度（反差比）：指的是光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度代表着只适于在掩膜版透光区规定范围内曝光的光刻胶的能力。 差的光刻胶对比度 斜侧壁 膨胀 差的反差 光刻胶 膜 好的光刻胶对比度 陡直侧壁 没有膨胀 好的反差 光刻胶 膜 灵敏度曲线越陡，光刻胶的对比度就越大，这样有助于得到清晰的图形轮廓和高的分辨率。一般光刻胶的对比度在 0.9 ~ 2.0 之间。对于亚微米图形，要求对比度大于 1。 通常正胶的对比度要高于负胶。 光进入光刻胶后，其强度按下式衰减 式中，α为光刻胶的光吸收系数。设 TR 为光刻胶的厚度，则可定义光刻胶的 光吸收率 为 可以证明，对比度 γ与光吸收系数α及光刻胶厚度 TR 之间有如下关系 　　减小光吸收系数与胶膜厚度有利于提高对比度。 三、分辨率：指光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。