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2020-07-01 发布于天津
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微电子器件(3-4)知识分享.ppt

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3.4 双极晶体管的直流电流电压方程; 3.4.3 晶体管的直流电流电压方程; 共发射极直流电流电压方程为：;当 VBC = 0 时，; 共基极输出特性曲线; 共发射极输出特性：以输入端的 IB 为参变量，输出端的 IC 与 VCE 之间的关系。;式中，; 当 VBC = 0，或 VBE = VCE 时，; 共发射极输出特性曲线; 3.4.5 基区宽度调变效应; 原因：当 VCE 增大时，集电结反偏 (VBC = VBE –VCE ) 增大，集电结耗尽区增宽，使中性基区的宽度变窄，基区少子浓度分布的梯度增大，从而使 IC 增大。这种现象称为基区宽度调变效应，也称为厄尔利效应。;式中，; VA 的几何意义