西电模拟CMOS集成电路的设计复习提纲.pptVIP

下载本文档

67
0
约小于1千字
约 78页
2020-07-01 发布于福建
举报
版权申诉

西电模拟CMOS集成电路的设计复习提纲.ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

西电微电子:模拟集成电路设计复习提纲西电微电子:模拟集成电路设计第二章器件模型 MOSFET的IV特性饱和区电流公式线性区电流公式勾道长度调制效应 MOSFET的小信号模型低频小信号模型:图2.36 ·gm、r的表达式完整小信号模型:图2.38 西电微电子:模拟集成电路设计 MOSFET的ⅠV特性 1 w 饱和区:ID=C,(Vas-V) 沟长调制 W (Vos-Vh)( L W 线性区:1p=CL 深线性区 W (vgs -,v 线性电阻 W ox L GS 西电微电子:模拟集成电路设计几个常用的表达式饱和区: dsar gm=ue 2 2uC o A×Vda元西电微电子:模拟集成电路设计 MOSFET小信号模型(1) Gs⑦ gagS VBs=0时的低频小信号模型 ·用于计算输出电阻、低频小信号增益