完整版砷化镓1.ppt

* 内容分五个部分 * * 第一次科技革命以来，人类大量开采使用煤、石油、天然气等化石燃料。能源危机一次又一次向我们敲响警钟。 * 经济的发展和社会的进步离不开能源，随着科技的进步，人类开始开发使用清洁、高效的核能。如今核能以其高效率，经济成本不受国际经济形势制约等优点已经成为世界的主导能源之一 * 然而继俄国切尔诺贝利核事故之后，日本福岛核电站受到地震影响遭到破坏，导致核泄漏，核能的安全性再一次受到挑战。 * 反应堆遭到破坏的原理图，其中重要原因就是反应堆中，核燃料包壳材料遭到破坏，导致核泄漏，反应堆熔毁——灾难产生 * 提到反应堆的包壳材料这就涉及到我们材料工作者的工作了 * 如此苛刻的工况条件什么样的材料才能做包壳材料呢？ * 本文所研究的Zr-Ni-Al 三元系 * * * 在Zr的合金化元素中，Ni和Al是常用的添加元素 * 在Zr的合金化元素中，Ni和Al是常用的添加元素 * 意义 * P. Nash和Y.Y. Pan[30]综合了Markiv等人[27]和Burnashova等人[28]的相图，报道了较为完整的Zr-Ni-Al三元系800℃等温截面(如图1.7(a)所示)，并指出Jayanth[29]报道的相图(如图1.7(b)(c)所示)与Burnashova等人[28] 在富Ni端存在矛盾。此外，在800℃时，在Ni-Zr边际二元系，Ni3Zr是稳定存在的化合物，而在Burnashova等人[28]报道的截面中却没有存在。而在Al-Zr边际二元系AlZr3是稳定存在的，P. Nash和Y.Y. Pan [30]的截面中仍未确定相平衡关系。因此，有必要对Zr-Ni-Al三元系的相平衡关系进行进一步的确定。 P. Nash和Y.Y. Pan[30]综合了Markiv等人[27]和Burnashova等人[28]的相图，报道了较为完整的Zr-Ni-Al三元系800℃等温截面(如图1.7(a)所示)，并指出Jayanth[29]报道的相图(如图1.7(b)(c)所示)与Burnashova等人[28] 在富Ni端存在矛盾。此外，在800℃时，在Ni-Zr边际二元系，Ni3Zr是稳定存在的化合物，而在Burnashova等人[28]报道的截面中却没有存在。而在Al-Zr边际二元系AlZr3是稳定存在的，P. Nash和Y.Y. Pan [30]的截面中仍未确定相平衡关系。因此，有必要对Zr-Ni-Al三元系的相平衡关系进行进一步的确定。 τ3相的晶体结构直到2006年才由Leineweber等人[32]研究确定，其衍射谱尚未收录进PDF卡片库中。 在Zr的合金化元素中，Ni和Al是常用的添加元素 * 在Zr的合金化元素中，Ni和Al是常用的添加元素 * * Thank you！ GaAs砷化镓 OUTLINE GaAs半导体材料的特性 GaAs半导体材料的应用 GaAs半导体材料的制备 GaAs材料的特性 1.1GaAs材料晶体特性 晶体结构：GaAs材料的晶体结构属于闪锌矿型晶格结构，如图1.1所示。 化学键：四面体键，键角为109°28‘，主要为共价成分。由于镓、砷原子不同，吸引电子的能力不同，共价键倾向砷原子，具有负电性，导致Ga-As键具有一定的离子特性，使得砷化镓材料具有独特的性质。 图1.1.GaAs晶体结构 1.1GaAs材料的晶体特性 极性：砷化镓具有闪锌矿型结构，在[111]方向上，由一系列的Ⅲ族元素Ga及Ⅴ族元素As组成的双原子层（也是电偶极层）依次排列。在[111]和 方向上是不等效的，从而具有极性，如图1.2所示 。 存在Ga面和As面，在这两个面上形成两种不同的悬挂键，如图1.3所示，As面的未成键电子偶促使表面具有较高的化学活泼性，而Ga面只有空轨道，化学性质比较稳定。这一特性有利于GaAs材料进行定向腐蚀。 图1.2.GaAs的极性 图1.3.GaAs的悬挂键 1.2GaAs材料的物理化学性质 表1.1.GaAs材料的物理性质 1.2GaAs材料的物理化学性质 化学性质： 室温下，化学性质稳定，在空气中不与氧气、水蒸气等发生化学反应。室温下，不溶于盐酸，但可与浓硝酸发生反应，易溶于王水。王水是砷化镓材料常用的清洗剂。 1.3GaAs材料的半导体性质 表1.2.GaAs材料的半导体性能参数 能带结构——直接跃迁型能带结构 1.3GaAs材料的半导体性质 图1.4.300K时砷化镓中载流子迁移率与浓度 1.4GaAs材料的性能的优缺点 高的能量转换效率：直接跃迁型能带结构，GaAs的能隙为1.43eV，处于最佳的能隙为1.4～1.5eV之间，具有较高的能量转换率； 电子迁移率高； 易于制成非掺杂的半绝缘体单晶材