超高介电常 数单层陶瓷电容.docxVIP

最新整理资料 文档精选合集 超高介电常数单层陶瓷电容 单层打线电容 电容技术及制造经验 TECDIA 拥有超过 25 年的经验 , 运用工业标准 EIA 等级 (ClassⅠ,Ⅱ and Ⅲ) 陶瓷材料制造单层陶瓷电容。为运用在电信及数据通信产业中的高速度( 频率) 信号传输设备的实验室科研及原装设备生产提供精密产品，TECDIA 已成为以高品质为标准，值得信赖的供应商。我们的客户遍布世界，包括美国，以色列，欧洲和亚洲的许多成功 OEM 生产商。 为了满足市场日益增长的高容值小尺寸需求，TECDIA 在 2003 年扩大了单层电容的生产线，其中包括单层 EIA IV(Class IV) 陶瓷电容。Class IV 陶瓷电容运用 GBBL 技术 , 达到 EIA X7R 及 X7S 两种温度特性的高电介质 (K 值 ) 电容，为工程师提供更优质的选择。 设计特点 Altas?超高电介常数陶瓷电容拥有两种电介值：K=16,000和K=30,000。这两种电容正反两面都采用 金属电极全面覆盖(C型)。K=30,000在-55℃～+125℃的温度范围内最大容值公差为+/-15%(X7R)， K=16,000在同样温度条件下的容值公差为+/-22%(X7S)。 电容电极由三种镀层组成：第一层钛(Ti) 加在陶瓷表面上，第二层为铂金 (Pt)，最外层是金 (Au)。中间的铂金可加强预防焊接时金层的浸出问题。 我们对于生产厚度的控制严格要求( 标准值在 6mils ～ 10mils)，这项特点可使电容更轻易符合于 Z 轴应用的要求。 应用 适用于微波及光通产业的 By-Pass, 直流阻隔 , 虑波。 相关产品 除了Altas 电容之外 ,TECDIA 也生产各式各样的单层陶瓷电容、电阻、陶瓷电容电阻一体产品，客制化 4 面镀金氧化铝 / 氮化铝薄膜基板等产品。 \h 更多详情，请与各营业点直接联系，或登录网站： 1 容值变化共振频率容值变化容值变化()()()() 容值变化 共振频率 容值变化 容值变化 ( ) ( ) ( ) ( ) 焊线拉力强度 MIL-STD-883 M2011 推力测试 MIL-STD-883 M2019 使用寿命测试 125℃×工作电压×2000小时 湿度测试 85℃×85%RH×3.0V(±0.25)×240小时 耐热 400℃×5分钟 2 K=16,000 正面电极/反面电极 电极 Ti (700?) / Pt (1500?) / Au (4μm min.) 特长 陶瓷单层电容的微波及高频性能稳定的温度特性X7S 工作电压可高达100V Pt/Au镀层，适用于焊接 项目 规格 温度特性（TC） ±22% @-55°C to +125°C 电介质 16,000 电介质等级 (EIA Class) Class IV 电极设计 Without Border (C-type) 尺寸选择：W×L 10 × 10mils to 40 × 40mils (0.25 × 0.25mm to 1.00 × 1.00mm) 厚度选择：t 6mils ± 1mil 10mils ± 1mil (0.150mm ± 0.025mm 0.250mm ± 0.025mm) 电极构成（电极厚度） Ti 700? / Pt 1500 ? / Au 150μ (Au 4μm) 额定电压（RWV） 50V for t = 6mils (0.150mm) 100V for t = 10mils (0.250mm) 电容值选择 50pF to 1,000pF (nominal @ +25°C 1kHz) 容值公差选择 M = ±20% Z = -20% / +80% V = -0% / +100% 损失系数（DF） 2.5％ (@ +25°C 1 kHz) 绝缘电阻（IR） 10Ω (@ +25°C) 绝缘破坏电压（DWV） RWV x 2.5 (minimum DWV @ +25°C) P/N: SK 06 C 102 M 10 A 6 超高介电常数陶瓷电容 电极设计 电容值公差 陶瓷表面处理 尺寸代码 产品代码 M: ±20% Z : -20% / +80% V : -0% / +100% A: As Fired  厚度代码 6: 6mils (0.15mm) 00: 10 × 10mils (0.25 × 0.25mm) 01: 15 × 15mils (0.38 × 0.38mm) 02: 20 × 20mils (0.50 × 0.50mm) 03: 25 × 25mils (0.63 × 0.63mm) 04: 30 × 30mils (0.76 × 0.76mm) 05: