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- 2020-07-05 发布于福建
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7-9)实际晶体中的位错测
前面介绍了位错的一般性质,本节将讨论实际晶体中的位错,
特别是面心立方晶体中的位错。
、面心立方晶体中的位错
1、全位错
定义:柏氏矢量为沿着滑移方向的原子间距的整数倍的位错。
若沿着滑移方向连接相邻原子的矢量为s,则全位错的柏氏
矢量b=ns,为正整数,一般n=1,此时位错的能量最低。
FCC晶体的全位错的柏氏矢量应为b=2110,简写成
b=1/2110。全位错的滑移面是{1ll,刃型位错的攀移面(垂
直于滑移面和滑移方向的平面)是{110}。
图中FCC晶体的滑移
面为(-111)晶面,柏氏
矢量方向为[110晶向,
b=1/2[0;半原子面
攀移面
(111)
(攀移面)为(110)晶面,
滑移面
其堆垛次序为 ababab
h=12[110]
将滑移面(-111水平放置,攀移面(110)则为垂直位置,FCC
中刃型全位错如下图所示。由于形成位错时不能改变FCC的晶
体结构,故在a层和b层之间必须插入b、a两层半原子面才能形
成全位错
[I11]
112]
b
滑移面
柏氏矢量
b a b a
FCC晶体中的刃型全位错
2、不全位错
柏氏矢量小于滑移方向上的原子间距的位错称为分位错
大于原子间距,但不是整数倍的位错称为不全位错。实际研
究中没有必要将它们细分,可以统称为
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