压阻式传感器工程实践课件.ppt

* 压阻式传感器 是利用硅的压阻效应和微电子技术制成的，是一种新的物性型传感器。 优点：灵敏度高、动态响应好、精度高、易于微型化和集成化等。 （一）?? 压阻效应 单晶硅材料在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化，这种现象被称为压阻效应。 对半导体材料 对金属材料 电阻相对变化量 由于πE一般都比（1+2μ）大几十倍甚至上百倍，因此引起半导体材料电阻相对变化的主要原因是压阻效应，所以上式可近似写成 式中 π——压阻系数；E——弹性模量； σ——应力； ε——应变。 上式表明压阻传感器的工作原理是基于压阻效应。 扩散硅压阻式传感器的基片是半导体单晶硅。单晶硅是各向异性材料，取向不同其特性不一样。而取向是用晶向表示的，所谓晶向就是晶面的法线方向。 ? C Z O B A X Y 1 1 晶体晶面的截距表示 （二）?? 晶向、晶面的表示方法 结晶体是具有多面体形态的固体，由分子、原子或离子有规则排列而成。这种多面体的表面由称为晶面的许多平面围合而成。晶面与晶面相交的直线称为晶棱，晶棱的交点称为晶体的顶点。为了说明晶格点阵的配置和确定晶面的位置，通常引进一组对称轴线，称为晶轴，用X、Y、Z表示。 硅为立方晶体结构，就取立方晶体的三个相邻边为X、Y、Z。在晶轴X、Y、Z上取与所有晶轴相交的某晶面为单位晶面，如图5.1-19所示。 此晶面与坐标轴上的截距为OA、OB、OC。已知某晶面在X、Y、Z轴上的截距为OAx、OBy、OCz，它们与单位晶面在坐标轴截距的比可写成 式中，p、q、r为没有公约数(1除外)的简单整数。为了方便取其倒数得 式中，h、k、l也为没有公约数（1除外）的简单整数。依据上述关系式，可以看出截距OAx、OBy、OCz的晶面，能用三个简单整数h、k、l来表示。h、k、l称为密勒指数。 而晶向是晶面的法线方向，根据有关的规定，晶面符号为(hkl)，晶面全集符号为{hkl}，晶向符号为 [hkl]，晶向全集符号为〈hkl〉。晶面所截的线段对于X轴，O点之前为正，O点之后为负；对于Y轴，O点右边为正，O点左边为负；对于Z轴，在O点之上为正，O点之下为负。 依据上述规定的晶体符号的表示方法，可用来分析立方晶体中的晶面、晶向。在立方晶体中，所有的原子可看成是分布在与上下晶面相平行的一簇晶面上，也可看作是分布在与两侧晶面相平行的一簇晶面上，要区分这不同的晶面，需采用密勒指数来对晶面进行标记。晶面若在X、Y、Z轴上截取单位截距时，密勒指数就是1、1、1。故晶面、晶向、晶面全集及晶体全集分别表示为(1 1 1)、[1 1 1]、{1 1 1}、〈1 1 1〉。 若晶面与任一晶轴平行，则晶面符号中相对于此轴的指数等于零，因此与X轴相交而平行于其余两轴的晶面用(1 0 0)表示，其晶向为[1 0 0]；与Y轴相交面平行于其余两轴的晶面为(0 1 0)，其晶向为[0 1 0]；与Z轴相交而平行于X、Y轴的晶面为(0 0 1)，晶向为[0 0 1]。同理，与X、Y轴相交而平行于Z轴的晶面为(1 1 0)，其晶向为[1 1 0]；其余类推。硅立方晶体内几种不同晶向及符号如图。 (110) [110] [100] (100) (111) [111] [001] [100] [010] [110] [100] [001] Z Y X 单晶硅内集中不同晶向与晶面 （b） （a） 对于同一单晶，不同晶面上原子的分布不同。如硅单晶中，(1 1 1)晶面上的原子密度最大，(1 0 0)晶面上原子密度最小。各晶面上的原子密度不同，所表现出的性质也不同，如(1 1 1)晶面的化学腐蚀速率为各向同性，而(1 0 0)晶面上的化学腐蚀速率为各向异性。 单晶硅是各向异性的材料，取向不同，则压阻效应也不同。硅压阻传感器的芯片，就是选择压阻效应最大的晶向来布置电阻条的。同时利用硅晶体各向异性、腐蚀速率不同的特性，采用腐蚀工艺来制造硅杯形的压阻芯片。 （三）压阻系数 1、压阻系数的定义 半导体电阻的相对变化近似等于电阻率的相对变化，而电阻率的相对变化与应力成正比，二者的比例系数就是压阻系数。即 单晶硅的压阻系数矩阵为 多向应力作用在单晶硅上，由于压阻效应，硅晶体的的电阻率变化，引起电阻的变化，其相对变化dR/R与应力的关系如下式。在正交坐标系中，坐标轴与晶轴一致时，有 式中 σl——纵