半导体材料和工艺之 多晶硅锭定向凝固生长方法.pptVIP

半导体材料和工艺之 多晶硅锭定向凝固生长方法.ppt

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多晶硅锭定向 凝固生长方法 实现多晶硅定向凝固生长的四 种方法: 口布里曼法 口热交换法 口电磁铸锭法 口浇铸法 8.5.1铸锭浇注法 口铸锭浇注法于1975年由 Wacker.公司首创,其过程是将 硅料置于熔炼坩埚中加热熔化,而后利用翻转机械将 其注入预先准备好的模具内进行结晶凝固,从而得到 等轴多晶硅 近年来,为了提高多晶硅电池的转换效率,也有人对 此传统工艺加以改进,通过对模具中熔体凝固过程温 度加以控制,形成一定的温度梯度和定向散热的条件 ,获得定向柱状晶组织 8.5.1铸锭浇注法 铸锭浇注法生产原理示意图 1固态2液态3熔炼坩埚4涂层5.凝固界面G.模具 8.5.1铸锭浇注法 口由于浇注法用的坩埚,模具材料多为石墨、石英等 所以用该法制备的多晶硅中氧、碳等杂质元素含量较 高 口同时,硅熔体在高温时与石墨发生反应,加之硅凝固 过程中的体膨胀作用,易造成硅锭与石墨模具的粘连 冷却后难以脱模 口为了避免以上缺陷,研究者们经过多年的研究实践, 在坩埚、模具的内工作表面上涂上一层膜,以防止坩 埚、模具等对硅的污染及起到一定的润滑脱模作用。

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