第5章 测量学和缺陷检查讲诉.ppt

接触角 接触角 小滴 衬底 视频光学接触角测量仪 5.3 分析设备 本节介绍支持硅片生产的主要分析设 备，这些分析仪提供高度精确的硅片测量， 它们通常位于生产区外的实验室，以决决 生产问题。 ● 二次离子质谱仪（ SIMS ） Second Ion Mass Spectrometer ● 飞行时间二次离子质谱仪（ TOF-SIMS ） Time of Flying-SIMS ● 原子力显微镜（ AFM ） Atom Force Microscopy ● 俄歇电子能谱仪（ AES ） Auger Electron Spectrometer ● X 射线光电能谱仪（ XPS ） X-ray Photoelectron Spectrometer ● 透射电子显微镜（ TEM ） Transmission Electron Microscopy ● 能量弥散谱仪（ EDX ）和波长弥散谱仪（ WDX ） ● 聚焦离子束（ FIB ） Focusing Ion Beam 四 . 掺杂浓度 在硅的一些区域（如 pn 结、外延层 、掺杂多晶硅）中杂质原子的分布情况 直接影响到半导体器件的性能。常用的 在线测量方法是四探针法（用于高掺杂 浓度）、热波系统（用于低掺杂浓度） ，在生产线外的测量方面，有二次离子 质谱仪、扩展电阻探针、电容 — 电压特 性测试等几种方法。 热波系统 ? 广泛应用于监测离子注入剂量浓度。测量 由于离子注入而在硅片中形成的晶格缺陷。 ? 使用方便，有图形或没图形的硅片都可通 用。其缺点主要是测量过程会导致硅片的 损伤，因而需要校正曲线以间接估算掺杂 浓度。 Thermal Wave System for Measuring Dopant Concentration Probe laser (HeNe ) Pump laser (Argon ) Thermal wave signal detector X-Y stage Wafer Two-way mirror Two-way mirror 扩展电阻探针 ? 扩展电阻探针（ SRP ）用于测量掺杂浓度的 剖面和电阻率。 ? SRP 的弱点是需要熟练的操作者，样片制备 和破坏性的测试，优点是不受结深限制便 能进行精确的掺杂浓度测量。 扩展电阻探针（ SRP ） Probe laser (HeNe ) Pump laser (Argon ) Thermal wave signal detector X-Y stage Wafer Two-way mirror Two-way mirror 五 . 无图形的表面缺陷 无图形的硅片是裸硅片或有一些空白薄膜的 硅片。后者用做测试片，在工艺进行时使用以提供 工艺条件的特征信息。用于工艺监控的无图形硅片 上典型的缺陷包括颗粒、划伤、裂纹和其他材料缺 陷。对硅片表面的缺陷检测分为两种类型：暗场和 亮场的光学探测。亮场探测是用显微镜传统光源， 它直接用反射的可见光测量硅片表面的缺陷。暗场 探测检查位于硅片表面的缺陷散射出的光，对检查 微小缺陷非常有用。 光学显微镜 光源 中间象 物镜 试样 聚光镜 目镜 毛玻璃 照相底板 光学显微镜明场和暗场探测 硅片检查系统 六 . 有图形的表面缺陷 工艺过程中对有图形硅片的监控越 来越普遍。在生产硅片上最主要的缺陷 是颗粒、划伤和图形缺陷。 使用光散射技术在有图形的硅片上 进行缺陷检测与无图形的硅片类似。然 而测量设备必须能够区分出是颗粒散射 光还是图形边缘散射光。 七 . 关键尺寸（ CD ） 关键尺寸测量的一个重要原因是要达到 对产品所有线宽的准确控制。在 CMOS 技术 中，晶体管的栅结构非常关键。栅宽决定了 沟道的长度，而沟道的长度影响了速度。关 键尺寸的变化通常显示半导体制造工艺中一 些关键部分的不稳定。由于关键尺寸越来越 小，能获得这种测量水平的仪器是扫描电子 显微镜（ SEM ）。 ? 电子显微镜是利用电子束对样品放大成像的显微 镜，简称电镜。 ? 电镜的放大倍率可达 百万 ，可分辨