高中物理第四章2光电效应与光的量子说练习含解析教科版选修3_5.docxVIP

PAGE PAGE # 2 光电效应与光的量子说 入射光照射到某金属表面上发生光电效应 , 若入射光的强度减弱 , 而频率保持不变 , 那么（ ） 从光照至金属表面上到发射出光电子之间的时间间隔将明显增加 逸出的光电子的最大初动能将减小 单位时间内从金属表面逸出的光电子数目将减小 有可能不发生光电效应 解析：发生光电效应几乎是瞬时的，所以A项错；入射光强度减弱，说明单位时间内的入射光子数目 减少;频率不变 ,说明光子能量不变 ,逸出的光电子最大初动能也就不变 ,B 项错; 入射光子数目减少 , 逸出的光电子的数目也就减少 ，故C项正确；入射光照射到某金属表面上发生光电效应 ，说明入射光 的频率高于这种金属的极限频率 ，只要入射光频率一定就能发生光电效应 ，故D项错? 答案:C （多选）右图是光电效应中光电子的最大初动能 Ek与入射光频率 v的关系图像?从图中可知（ ） E＜与v成正比 入射光频率必须大于或等于截止频率 v c时，才能产生光电效应 对同一种金属而言，E＜仅与v有关 E＜与入射光强度成正比 解析：由Ek=hv -W0知B C正确，A、D错误. 答案 :BC （多选）光电效应的实验结论是对于某种金属 （ ） 无论光强多强，只要光的频率小于极限频率就不能产生光电效应 无论光的频率多低，只要光照时间足够长就能产生光电效应 超过极限频率的入射光强度越弱，所产生的光电子的最大初动能就越小 超过极限频率的入射光的频率越高 ，所产生的光电子的最大初动能就越大 解析 解析：根据光电效应规律可知 A正确,B、C错误.根据光电效应方程 =hv -W频率v越高,光电 PAGE PAGE # 子的最大初动能就越大，D正确.故正确选项为 A、D. 答案:AD 硅光电池是利用光电效应原理制成的器件 ，下列表述正确的是（ ） 硅光电池是把光能转变为电能的一种装置 硅光电池中吸收了光子能量的电子都能逸出 逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率无关 任意频率的光照射到硅光电池上都能产生光电效应 解析：电池是把其他形式的能转化成电能的装置 ，而硅光电池是把光能转化为电能的一种装置 ,A对； 吸收了光子能量的电子只有一部分能逸出 ,B错；逸出光电子的最大初动能 E=h v -W与入射光频率 有关,C错;频率低于极限频率的光不能在硅光电池上产生光电效应 ，D错.故正确选项为 A 答案:A （多选）用如图所示的装置研究光电效应现象 .当用光子能量为2. 75 eV的光照射到光电管上时发 生了光电效应，电流表G的示数不为零；移动变阻器的滑片 C,发现当电压表的示数大于或等于 1.7 V时，电流表示数为0,则下列说法正确的是（ ） 光电子的最大初动能始终为 1. 05 eV 光电管阴极的逸出功为 1.05 eV 当滑片向a端滑动时，反向电压增大，电流增大 改用能量为2. 5 eV的光子照射，移动变阻器的滑片 c,电流表G中也可能有电流 解析：由爱因斯坦光电效应方程 E=h v -W0可知，同种金属的逸出功相同，所以光电子逸出后的初动能 取决于获得的能量,A错误；当电压表示数大于或等于 1.7V时,电流表无示数，说明遏止电压为1.7V, 由eU二mV,可求得光电管的逸出功为 1. 05eV,B正确；若光的频率不变，反向电压大于遏止电压后电 路中就不再有电流,C错误；当入射光频率超过截止频率 ，且反向电压小于遏止电压，电路中就会有电 流,D正确. 答案:BD PAGE PAGE # 图甲是光电效应的实验装置图，图乙是光电流与加在阴极 K和阳极A上的电压的关系图像，下列 说法不正确的是( ) 乙 由图线①、③可知在光的颜色不变的情况下 ，入射光越强，饱和电流越大 由图线①、②、③可知对某种确定的金属来说，其遏止电压只由入射光的频率决定 遏止电压越大，说明从该金属中逃出来的光电子的最大初动能越大 不论哪种颜色的入射光，只要光足够强，就能发生光电效应 解析：由图线①、③可知在光的颜色不变的情况下 ，入射光越强，饱和光电流越大，故A说法正确；根 据光电效应方程可得 Em=hv -W0=eUC，可知入射光频率越大，最大初动能越大，遏止电压越大，可知对 于确定的金属，遏止电压与入射光的频率有关 ，故B说法正确；根据最大初动能 Em=eUl中，遏止电压 越大，说明从该金属中逃出来的光电子的最大初动能越大 ，故C说法正确；发生光电效应的条件是入 射光的频率大于截止频率，与入射光的强度无关，故D说法错误. 答案：D 小明用金属铷为阴极的光电管，观测光电效应现象，实验装置示意如图甲所示.已知普朗克常量 h=6. 63 X 10-34 J ? s. ⑴图甲中电极A为光电管的 (选填“阴极”或“阳极”)； (2)实验中测得铷的遏止电压 UC与入射光频率 v