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CMOS闩锁效应及其预防
在CMOS电路中PMOS和NMOS经常作互补晶体管使用，它们相
距很近，可以形成寄生可控硅结构，一旦满足触发条件，将使电路进入低压大电流的状态，这就是闩锁效应。造成电路功能的混乱，使电路损坏。
产生闩锁效应的条件
?1．环路电流增益大于1，即βnpn*βpnp=1；
?2．两个BJT发射结均处于正偏；
?3．电源提供的最大电流大于PNPN器件导通所需维持电流IH。
N阱CMOS工艺中的典型PNPN可控硅结构及其等效电路
潜在的发射极(结)：
绿色标出区域是潜在的发射极(结)，当这些MOSFET作为I/O器件时，由于信号的大于VDD的overshoot，可能使PMOS
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