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BLF578
Power LDMOS transistor
Rev. 4 — 1 December 2016 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
A 1200 W LDMOS power transistor for broadcast applications and industrial applications
in the HF to 500 MHz band.
Table 1. Application information
Mode of operation f VDS PL Gp D
(MHz) (V) (W) (dB) (%)
CW 108 50 1000 26 75
pulsed RF 225 50 1200 24 71
1.2 Features and benefits
Typical pulsed performance at frequency of 225 MHz, a supply voltage of 50 V and an
I of 40 mA, a t of 100 s with of 20 %:
Dq p
Output power = 1200 W
Power gain = 24 dB
Efficiency = 71 %
Easy power control
Integrated ESD protection
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (10 MHz to 500 MHz)
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
1.3 Applications
Industrial, scientific and medical applications
Broadcast transmitter applications
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