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光电综合设计
学院：理学院
专业：应用物理学
：
学号：
年月日～年月日
实用大全
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目 录
一、课题 1：半导体中载流子浓度的计算分析 1
1.1.课题任务要求及技术指标 1
1.2.课题分析及设计思路 1
1.3.系统设计（建模） 1
1.4.仿真结果与结果分析 3
二、课题 2：光电探测器光电流的计算 6
2.1. 课题任务要求及技术指标 6
2.2. 课题分析及设计思路 6
2.3. 系统设计（建模） 7
2.4. 仿真结果与结果分析 8
三、课题 3：半导体激光器静态特性的计算 10
3.1. 课题任务要求及技术指标 10
3.2. 课题分析及设计思路 10
3.3. 系统设计（建模） 11
3.4. 仿真结果与结果分析 12
四、课程设计小结 16
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一、课题 1：半导体中载流子浓度的计算分析
1.1. 课题任务要求及技术指标
设计任务：
若锗中含有一定数量的杂质元素 Sb，试根据要求分析杂质浓度与电离度以及电离温度
之间的关系：
（1）当 Sb 浓度分别为 1014 cm 3 和 17 3 时，计算杂质 99％， 90 ％和 50 ％电离时的
10 cm
温度各为多少？
（2 ）根据一定杂质类型和杂质浓度，画出电离度和温度的关系图线，并确定半导体处
于强电离区（电离度 90 ％）的温度围。
设计要求：
（1）具有友好输入输出界面；
（2 ）调整输入数据，得出相应结果，并进行分析。
1.2. 课题分析及设计思路
本题是已知掺杂一定数量杂质的半导体， 分析其杂质浓度、 电离度及电离温度之间的关
系，并且在已知杂质浓度的条件下根据电离度计算温度。 由固体电子导论中载流子浓度的知
识，随着温度升高，电离程度加大，载流子浓度也增加，但温度进一步升高后，杂质全部电
离，此时以本征激发为主，载流子浓度迅速增加，本题中锗中掺 Sb 时，形成 n 型半导体，
任务是要作出一定掺杂浓度下电离度和温度的关系曲线，计算公式如下：
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