非平衡载流子剖析.pptVIP

第五章 非平衡载流子 Non-equilibrium Carrier 主要内容: 掌握非平衡载流子的概念,以及其产生与复合的一 般过程,了解非平衡载流子对电导率的影响 *理解非平衡载流子寿命的概念,掌握非平衡载流子浓 度随时间的变化规律及常用的测量寿命的方法 理解准费米能级的概念,并能用其表征非平衡态时载 流子浓度和衡量半导体偏离平衡态的程度 *掌握几种复合机构和复合理论 *理解陷阱的概念和陷阱效应 *载流子的扩散运动和漂移运动,了解爱因斯坦关系式 及少数载流子遵循的方程连续性方程。 §5.1非平衡载流子的注入与复合 处于热平衡状态的半导体,在一定温度下,载 流子的浓度是一定的 平衡载流子 非简并条件下,半导体处于热平衡的判据式: Po=NyNcexp( 当对半导体施加外界作用时,出现与平衡态的偏 离,载流子浓度发生变化,可比n和pn多出一部 分,即非平衡载流子。 一、非平衡载流子的产生 1.光注入 e●·。△n ●●●@。●●● 用波长比较短的光 光照 照射到半导体 ●●●●● △ 光照产生非平衡载流子 电注入(PN结正向工作时) 3.非平衡载流子浓度的表示法 产生的非子一般都用△n,△p来表示 n=n+△n 达到动态平衡后: p=po+△p n,p为热平衡时电子浓度和空穴浓度, △n,△p为非子浓度