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分子束外延技术(MBE)的原理及
其制备先进材料的研究进展
学号: XXXXXXXXXX
姓名:XX
主要内容
●MBE原理
●MBE前沿介绍
MBE原理一定义
●分子束外延( Molecular Beam Epitaxy,简称
MBE):它是在超高真空的条件下,把一定比
例的构成晶体的各个组分和掺杂原子(分子
以一定的热运动速度喷射到热的衬底表面来
进行晶体外延生长的技术
注:超高真空 Ultrahigh Vacuum)指的是真空压
力至少低于133x108Pa。
外延生长:在一个晶体表面上生长晶体薄膜,
并且得到的薄膜和衬底具有相同的晶体结构和
取向
MBE原理一历史
1968年,美国Be实验室的 Arthur首先进行了Ga
和As在GaAs表面的反应动力学研究,奠定了
MBE的理论基础
1969-1972年间,Be!实验室的A.Y.Cho进行了
MBE的开创性研究,用MBE生长出了高质量的
GaAs薄膜单晶及n型、p型掺杂,制备出了多种
半导体器件,而且生长出第一个GaAs/ AIgaas
超晶格材料,从而引起了人们的关注。
1979年T.W. Tsang将MBE法制备的GaAs/ AlGaAs
DH激光器的阈值电流密度降到1KA/cm2以下,
使其能在室温下工作,达到了LPE水平
MBE原理一系统
●目前最典型的MBE设备是由进样室、预处理和表
面分析室、外延生长室三个部分串连构成
1600
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