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led原材料芯片检验规范 篇一：LED_Chip_FQC检验规范 版本：R5 拟案单位：工程部/ ALLAN 1.目的2.范围3.内容 检验测试项目 光电性检验外观检验数值标示检验。 本公司生产之所有 LED产品均属之。 制订LEDCHIP FQC 检验规范。 订定成品入库批允收程序，以确保产品质量达一定水 平。 抽样计划(片数定义：芯片片数) 依「产品检验抽样计划」 抽片执行检验。 光电特性检 验(VFH VFL、IV) 抽样位置：分页片边缘 4颗，分页片内围6颗， 均匀取样。 (2)抽样数量：每片10颗。 (3)每片抽样数，每一颗不良，则列一个缺点。 外观检验 PS TYPE不良晶粒〉2ea/sheet，列入一个缺点 NS TYPE或PS TYPE分页面积最长距离v cm者， 不良晶粒〉 5ea/sheet，且〉10 ea /wafer 列入一个缺点。 缺点项目之限样标准由制造、FQC两单位共同制作， 作为人员检验之依据。 缺点等级代字 主要缺点代字：M( Major )。次要缺点代字：Ml (Minor )。 参考文件 本公司产品目录规格书 版本：R5 拟案单位：工程部/ ALLAN 研发工程产品测试分类规格 其它相关之质量文件 光电特性检验 顺向电压VFH 依特定之额定电流点测，须低于规格上限。 规格上限应参考测试分类规格及 GaP GaAsP AlGaAs 产品T/S前测站 作业指导书。 缺点等级：MA 顺向电压VFL 依特定之额定电流点测，须高于规格下限，低于上限。 规格：GaP^, GaAsF^, AIGaAs , IR 。 缺点等级：Ml 亮度lv / Po 依特定之额定电流点测，须高于规格下限。 规格下限应参考测试分类规格及各产品 T/S前测站作业 指导书判定。缺点等级：MA 外观检验（共同标准） 版本：R5 拟案单位：工程部/ ALLAN 版本：R5 拟案单位：工程部/ ALLAN 版本：R5 拟案单位：工程部/ ALLAN 6. 篇二：LED检验规范 摘要 系统地在分析LED发光机理的基础上，阐述了 LED半导 体材料的发展历程，介绍了 LED光源的优点和几个主要的应 用场合，分析了国内外产业的发展状况，并指出 LED光源面 临的几个问题。介绍了与发光二极管测试有关的术语和定 义，详细介绍了测试方法和测试装置的要求。 自1879年爱迪生发明白炽灯以来，电光源照明已经经 历一个多世纪，这其中有三个重要的发展阶段，其代表性光 源分别是白炽灯、荧光灯和 HID （高强度气体放电）灯。白 炽灯安装使用简便，但它是热辐射光源 ，绝大部分输入电功 率都变成了红外辐射以及较大的热损失 ，落在可见光区的 辐射所占比例较小，因而其光效较低，而且寿命短，易损坏。 荧光灯的工作原理是：电流激发汞原子并使它们发出紫 外线光子，这些光子激发荧光粉发出可见光。虽然其较白炽 灯可以省电，但由于受到紫外线转换成可见光效率的制约 , 光效提高也有限，而且存在电磁污染、使用寿命短、易碎等 缺点，其主要组成部分汞还会造成环境污染。 HID灯光效已 经可以超过100lm/W，但由于热导及紫外、红外等损失，光 效也很难有较大的提高， 且存在成本高、维护困难、寿命短、 电磁辐射等问题。近几十年来，人们对于开发新照明光源的 研究和探索从未停止过。欧洲专门制定了五年行动计划，提 出新型光源要符合三个条件： 高效、节能；材料对环境无害； 模拟自然光，显色指数接近 100。 发光二极管（Light Emitting Diode 简称 LED）是一种 重要的光电子器件，它在科学研究和工农业生产中均有非常 广泛的应用.发光二极管虽小，但要准确测量它的各项光和 辐射参数并非一件易事.目前在世界范围内的测试比对还有 较大的差异.鉴于此，CIETC2-34小组对此进行了研究，所提 出的技术报告形成了 CIE127-1997文件。 随着新一代半导体材料 AIGaAs （砷化铝镓）、AllnGaP （磷化铝铟镓）和 AlInGaN （氮化铝铟镓）的出现和发光二 极管封装等技术的突破，单晶片红、绿、蓝、白光 LED的功 率等级不断提高，高亮度 LED有望成为第四代光源。LED是 电光源发展的一次全新革命和重大突破，从根本上改变了光 源发光的机理，具有光效高、光色全、寿命长、环保、尺寸 小等优点，能够应用在各种各样的彩色和白色照明领域。 LED 光源在提升照明质量和效用的同时，能够节约能源，改善环 境污染，有利于国计民生的和谐发展。因此积极研究 LED光 源新技术，加快发展 LED照明产业具有重大的经济效益和深 远的社会意义。 LED材料的发展历程 由LED发光机理可知，依材料的不同，电子和空穴所占 有的能阶也不同，其相对能阶高度差即是决定两种载流子结 合所发出能量的高低