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场效应管(FET)知识课件 1基本知识概述 2分类命名标识结构 3制程及工艺 4基本特性 5应用 6常见失效模式及案例分析 7Derating标准及其测试方法 21 分类命名标识结构 首先门极-源极间电压以0V时考虑VGS 0在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加漏电流ID几乎与VDS 成比例增加将此区域称为非饱和区可变电阻区VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小几乎达到一定值此时的ID 称为饱和漏电流有时也称漏电流用IDSS 表示此区域称为饱和导通区恒流区当VDS过大则进入击穿区 其次在漏极-源极间加一定的电压VDS 例如08V VGS 值从0开始向负方向增加ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少对某VGS 值ID 0将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压用VGS off 或Vp表示n沟道JFET的情况则VGS off 值为负测量实际的JFET对应ID 0的VGS 因为很困难因此实际应用中将达到ID 01～10μA 的VGS 定义为VGS off 的情况多些 关于JFET为什么表示这样的特性com简单的说明 61 Derating参数标准及其测试方法 b漏极电流ID25°C Continuous Drain Current 此参数为MOSFET在本体温度25 °C时正常工作的最大电流 ID由以下参数影响 RDS0n ---开启状态的阻抗Pd 封装的 最大功耗Die sizeimum junction temperature 以SFP50N0660V50A为例 150 - TC IDRMS 12 Rthj-c RDS on Rthj-c 115Tc＝case temperature150 ℃＝最大结温 RDS on Tj 150 ℃的稳定漏源阻抗 f IAR A EAR mJ Avalanche current Repetitive Avalanche Energy 雪崩电流反复雪崩能量此参数同样是MOSFET用于感性负载IAR等于IDEAR为计算值定义为25 ℃ 条件下 的功耗乘以100us 导通时间 g dvdt Vns  POWER MOSFET 关断的瞬间VDS斜率的急速增大很有可能造成器件 的损坏因此定义dvdt如同保持电容的参数来描述关断时电压斜率的 急速上升对元器件的影响实际应用中有两个类型的dvdt一种就是关断 瞬间的dvdv另一种是在类似半桥全桥拓扑构架中二极管的恢复dbdt 参考图三和图四以及所附波形图更利于理解dvdt   在公式3中如果VBE接近于07V发射结正偏双极型三极管将导通在高dvdt和大RB的情况下MOSFET将随着BJT的BVCBO参数进入雪崩模式直至损坏 I 二极管恢复dvdt 此参数定义为VDS的过高斜率导致寄生二极管反向恢复失效的dvdt 这种失效模式通常在全桥或半桥开关驱动感性负载的情况下发生描述 如下在图五所示的半桥回路下边的MOSFET导通时电流流过而当 下边的MOSFET截止时电流从上边的MOSFET的寄生二极管流过 如果在恢复时间内VDS的dvdt超过rating值I2增加这样寄生BJT 开启最后器件损坏同时反向恢复电流与VDS产生的功耗也会 引起器件损坏 K Thermal resistance 热阻 MOSEFT 必须工作在限定的热量范围结温不能超过Spec规定的150 ℃或175 ℃此参数影响到POWER MOSFET的散热状况决定了MOSFET的最大功耗以及ID Thermal resistance由封装形式结构die sizeRDS on 决定 Thermal resistance 热阻 值越低散热性能越好 Rthjc Thermal resistance from junction to case这是理想状态下的热阻假设本体温度为25 ℃采用无限大的散热片此值不是从实际操作中得出的当器件工作在25 ℃的时候结温由以下公式得出 预夹断 楔形沟道 0 电位梯度 VDS的控制作用 当VGS＝Constant com 主要参数 1 直流参数 ① VT开启电压