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1.10位错的增殖与塞积
从直观上看,位错在塑性变形中要不断地逸出晶体
表面,使晶体中位错密度不断减少,然而事实恰恰相
反
经剧烈变形后的金属晶体,其位错密度可增加4~5
个数量级,这种现象充分说明晶体在变形过程中位错
在不断地增殖。所以,位错的增殖机制是位错理论中
个很重要的问题
位错的滑移
理论值
塑性变形
金属晶须
增殖、塞积、交割
加工硬化态
(101l-1012cm/em3)
位错的数量逐渐增加
退火态
(105-108cm/cm3)
位错密度P
金属晶须:按照同样的方向和部位排列,构成了一种完全没有任何缺陷的
理想晶体;直径一般为几微米到几十微米
位错线与位错缠结(TEM)
不锈钢316L(00cr17Ni4Mo2)
晶体中的位错往往互相缠结形成位错网络。
在位错网络结点A、B上,位错线张力平衡,位错
处于力学平衡状态
滑移面
B
(b)
位错缠结
1.位错的增殖
Frank- Reed Source F-R源的形核
位错的增殖机制有许多种,其中一种主要方式是
弗兰克-瑞德( Frank-Read)位错源。
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