位错增值与塞积.ppt

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1.10位错的增殖与塞积 从直观上看,位错在塑性变形中要不断地逸出晶体 表面,使晶体中位错密度不断减少,然而事实恰恰相 反 经剧烈变形后的金属晶体,其位错密度可增加4~5 个数量级,这种现象充分说明晶体在变形过程中位错 在不断地增殖。所以,位错的增殖机制是位错理论中 个很重要的问题 位错的滑移 理论值 塑性变形 金属晶须 增殖、塞积、交割 加工硬化态 (101l-1012cm/em3) 位错的数量逐渐增加 退火态 (105-108cm/cm3) 位错密度P 金属晶须:按照同样的方向和部位排列,构成了一种完全没有任何缺陷的 理想晶体;直径一般为几微米到几十微米 位错线与位错缠结(TEM) 不锈钢316L(00cr17Ni4Mo2) 晶体中的位错往往互相缠结形成位错网络。 在位错网络结点A、B上,位错线张力平衡,位错 处于力学平衡状态 滑移面 B (b) 位错缠结 1.位错的增殖 Frank- Reed Source F-R源的形核 位错的增殖机制有许多种,其中一种主要方式是 弗兰克-瑞德( Frank-Read)位错源。

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