场效应管放大电路演示幻灯片.ppt

31 （ 4 ）输出电阻 ? T I ? R I ? gs m V g ? ? R V T ? ? ? gs V ? T V ? ? ? o R m 1 1 g R ? ? 所以 由图有 T T I V ? ? gs m V g ? ? m 1 // g R ? 例题 32 3. 三种基本放大电路的性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET 电压增益： be L c ) // ( r R R ? ? ? ) // )( 1 ( ) // ( ) 1 ( L e be L e R R r R R ? ? ? ? ? ? be L c ) // ( r R R ? ? CE ： CC ： CB ： ) // ( L d m R R g ? ) // ( 1 ) // ( L m L m R R g R R g ? ) // ( L d m R R g CS ： CD ： CG ： 33 be b // r R 输出电阻： c R ? ? ) // )( 1 ( // L e be b R R r R ? ? ? ? ? ? 1 ) // ( // be b s e r R R R ? ? 1 // be e r R c R 3. 三种基本放大电路的性能比较 BJT FET 输入电阻： CE ： CC ： CB ： CS ： CD ： CG ： ) // ( g2 g1 g3 R R R ? m 1 // g R ) // ( g2 g1 g3 R R R ? CE ： CC ： CB ： CS ： CD ： CG ： d R m 1 // g R d R 1 Fundamental of Electronic Technology CTGU 2 5.3 结型场效应管 (JFET) 5.1 金属 - 氧化物 - 半导体 (MOS) 场效应管 5.2 MOSFET 放大电路 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属 - 半导体场效应管 3 ? 掌握场效应管的直流偏置电路及分析； ? 场效应管放大器的微变等效电路分析 法。 4 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 N 沟道 P 沟道 N 沟道 P 沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： 5 5.1 金属－氧化物－半导体 （ MOS ）场效应管 MOSFET 简称 MOS 管，它有 N 沟道和 P 沟道之分， 其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种。 耗尽型：当 v GS ＝ 0 时，存在导电沟道， i D ? 0 。 增强型：当 v GS ＝ 0 时，没有导电沟道， i D ＝ 0 。 6 5.1.1 N 沟道增强型 MOSFET 1 ．结构 P N N G S D P 型基底 两个 N 区 SiO 2 绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N 沟道增强型 7 N 沟道耗尽型 P N N G S D 予埋了导 电沟道 G S D 8 N P P G S D G S D P 沟道增强型 9 P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 予埋了导 电沟道 10 2 ．工作原理 JFET 是利用 PN 结反向电压对耗尽层厚度的控 制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极 电流的大小。而 MOSFET 则是利用栅源电压 的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少， 从而控制漏极电流的大小。 11 2 ．工作原理 （以 N 沟道增强型为例） P N N G S D V DS V GS V GS =0 时 D - S 间相当于 两个反接的 PN 结 I D =0 对应截止区 12 P N N G S D V DS V GS V GS >0 时 V GS 足够大时 （ V GS > V T ）感 应出足够多电子， 这里出现以电子 导电为主的 N 型 导电沟道。 感应出电子 V T 称为开启电压 13 V GS 较小时，导 电沟道相当于电 阻将 D-S 连接起 来， V GS 越大此 电阻越小。 P N N G S D V DS V GS 14 P N N G S D V DS V GS 当 V DS 不太大 时，导电沟 道在两个 N 区 间是均匀的。 当 V DS 较大 时，靠近 D 区的导电沟 道变窄。 15 P N N G S D V DS V GS 夹断后，即 使 V DS 继续 增加， I D 仍 呈恒流特性 。 I D V DS 增加， V GD = V T 时， 靠近 D 端的沟道被夹断， 称为予夹断。 16 3 ．特性曲线（ 增强型 N 沟道 MOS 管 ） 17 输出特性曲线 3 ．特性曲线（ 增强型 N 沟道 M